公开(公告)号：CN117747687B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202311568685.5

申请日：2023-11-22

Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

Inventor： 张东亮 ,  罗明馨 ,  祝连庆 ,  董明利 ,  鹿利单

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。

公开(公告)号：CN117747687A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311568685.5

申请日：2023-11-22

Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

Inventor： 张东亮 ,  罗明馨 ,  祝连庆 ,  董明利 ,  鹿利单

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。