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公开(公告)号：CN117042310B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311186320.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明提供一种无胶挠性覆铜板的生产设备，所述生产设备包括多个真空腔，收放卷系统、热处理装置、等离子处理组件，磁控溅射组件、热循环系统，所述磁控溅射组件包括多个靶极，所述收放卷系统的两端分别设置有放卷轴和收卷轴，所述放卷轴和收卷轴之间设置多个主动辊，所述真空腔包括第一真空腔，所述主动辊包括第一主动辊和第二主动辊，所述热处理装置设置在第一真空腔内，并设置在第一主动辊与第二主动辊之间的上方。本发明提供生产设备，通过在第一主动辊与第二主动辊之间的上方设置热处理装置，可对聚酰亚胺膜进行加热处理，烘干并减少其在存储过程中的吸水，这样形成的结构与基底层与后续的铜膜层的结合力都非常好，从而使其抗剥离强度大。
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公开(公告)号：CN117328113A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311336129.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开了一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用，包括以下步骤：使用过预处理剂对基材润湿清洗，基材表面形成保护膜；基材进入电镀液内，保护膜脱离基材，在基材表面的种子层上沉积铜，形成基底；采用高电流电解沉铜和低电流电解沉铜按时间比例低于1:2来交替进行电解沉积铜，在基底上继续沉积铜；电流密度稳定为2.0～4.0A/dm2，通过沉积铜时间调节沉积铜的铜总厚度。本发明在基材表面形成保护膜，有效保护基材表面纳米铜不受环境氧化或酸侵蚀，进入电镀液中分子保护膜发生反应后快速脱离，电镀过程分阶段实施，对可能存在的针孔进行填补，降低针孔数量，有效解决了针孔过多过大以及产品翘曲严重的问题。
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公开(公告)号：CN117230450B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311192096.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明属于线路板蚀刻领域，具体公开一种镍铬合金蚀刻液及其在预制线路板中的应用，包含镍铬合金活化剂和镍铬合金蚀刻剂，所述镍铬合金活化剂，以镍铬合金活化剂总重量计，包括以下重量百分数组分：浓盐酸2％‑15％、阴离子表面活性剂0.1％‑1％、去离子水补齐余量；所述镍铬合金蚀刻剂，以镍铬合金蚀刻剂的总重量计，包括以下重量百分数组分：浓硝酸1％‑10％、浓硫酸1％‑5％、硝酸铈铵1％‑3％、铜缓蚀剂0.1％‑5％、非离子表面活性剂0.1％‑0.5％、离子水补齐余量。本发明提供的镍铬合金蚀刻液可以快速润湿精细线路，与镍铬合金层发生反应，蚀刻镍铬合金层速度快，抑制铜线蚀刻，而不产生侧蚀或微小侧蚀，对于含有镍铬合金层的精细线路线路板特别适用，且可适配连续蚀刻生产线使用。
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公开(公告)号：CN117776785A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311820813.0
申请日：2023-12-27
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明提供了一种5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、对陶瓷基体表面进行进行喷砂或磨抛处理，随后将处理后的陶瓷基体浸入有机溶剂进行超声波清洗，将清洗后的陶瓷基体烘干；S2、通过高能脉冲离子注入法，采用第一金属靶，将第一金属离子注入步骤S1处理后的陶瓷基体表面上，形成过渡层；S3、通过磁过滤阴极真空弧沉积，采用第二金属靶，在步骤S2制备的过渡层上沉积第二金属，形成连接层；S4、通过多弧离子镀法，采用第三金属靶，在步骤S3制备的连接层上沉积第三金属，形成表面金属层，得到滤波器膜层材料。本发明膜层材料的制备方法得到了高致密性，低粗糙度，厚度均一性的高金属化银层，使得基底陶瓷层与金属膜银层的结合力好，插损低。
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公开(公告)号：CN116676557A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310676284.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开了一种具有自润滑性DLC涂层的钻头，其包括基材、金属打底层和DLC功能膜。一种具有自润滑性DLC涂层的钻头的制备方法，包括以下步骤：准备基材、制备金属打底层、制备高SP2含量DLC过渡层、制备高SP3含量DLC涂层、制备内应力释放层、DLC厚度调制。本发明取得的有益效果：能够加工出厚度大于2微米的DLC功能膜，且不易出现涂层脱落和龟裂的现象，达到了孔位精度好、孔壁品质好和使用寿命长的优点。在用于加工硬度较高的高频高速电路板的微钻中，孔位精度、孔壁质量和使用寿命的提升尤为明显。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119208614A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411235288.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明提供的一种锂硫电池正极用集流体和制备方法及其应用，所述集流体包括金属基材，在金属基材的至少一个表面上通过离子束溅射对金属基材注入碳离子，形成石墨‑金属混合层，然后采用阴极弧沉积技术，在石墨‑金属混合层上沉积石墨层。本发明提高的锂硫电池用集流体的制备方法，通过离子束石墨化方法可有效控制石墨层均匀性，同时引入氮气作为气体离子源可以有效提高正极材料的导电性和对游离态的硫单质的吸附性，从而提升电池的容量和库伦效率。
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公开(公告)号：CN117230450A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311192096.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明属于线路板蚀刻领域，具体公开一种镍铬合金蚀刻液及其在预制线路板中的应用，包含镍铬合金活化剂和镍铬合金蚀刻剂，所述镍铬合金活化剂，以镍铬合金活化剂总重量计，包括以下重量百分数组分：浓盐酸2％‑15％、阴离子表面活性剂0.1％‑1％、去离子水补齐余量；所述镍铬合金蚀刻剂，以镍铬合金蚀刻剂的总重量计，包括以下重量百分数组分：浓硝酸1％‑10％、浓硫酸1％‑5％、硝酸铈铵1％‑3％、铜缓蚀剂0.1％‑5％、非离子表面活性剂0.1％‑0.5％、离子水补齐余量。本发明提供的镍铬合金蚀刻液可以快速润湿精细线路，与镍铬合金层发生反应，蚀刻镍铬合金层速度快，抑制铜线蚀刻，而不产生侧蚀或微小侧蚀，对于含有镍铬合金层的精细线路线路板特别适用，且可适配连续蚀刻生产线使用。
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公开(公告)号：CN117042310A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311186320.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明提供一种无胶挠性覆铜板的生产设备，所述生产设备包括多个真空腔，收放卷系统、热处理装置、等离子处理组件，磁控溅射组件、热循环系统，所述磁控溅射组件包括多个靶极，所述收放卷系统的两端分别设置有放卷轴和收卷轴，所述放卷轴和收卷轴之间设置多个主动辊，所述真空腔包括第一真空腔，所述主动辊包括第一主动辊和第二主动辊，所述热处理装置设置在第一真空腔内，并设置在第一主动辊与第二主动辊之间的上方。本发明提供生产设备，通过在第一主动辊与第二主动辊之间的上方设置热处理装置，可对聚酰亚胺膜进行加热处理，烘干并减少其在存储过程中的吸水，这样形成的结构与基底层与后续的铜膜层的结合力都非常好，从而使其抗剥离强度大。
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公开(公告)号：CN113981401A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111245684.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙) , 广东省广新离子束科技有限公司
Abstract: 本发明属于5G电子材料制备领域，具体涉及一种在聚合物膜表面镀金属膜的方法、制备设备及应用。本发明制备方法包括以下制备步骤：(1)通过气体离子源清洗聚合物膜表面；(2)在聚合物膜的两面进行高能离子束沉积获得聚合物聚合物金属混合层；(3)在聚合物聚合物金属混合层表面进行低能离子束沉积获得过渡金属层；(4)在过渡金属层表面进行低能离子束沉积获得贵金属层。本发明在传统的沉积基础上，使用高功率脉冲技术，降低金属膜层的电阻，提高导电性和屏蔽性能，制备的聚合物镀金膜，屏蔽性能达到30dB以上，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN117328113B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311336129.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开了一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用，包括以下步骤：使用过预处理剂对基材润湿清洗，基材表面形成保护膜；基材进入电镀液内，保护膜脱离基材，在基材表面的种子层上沉积铜，形成基底；采用高电流电解沉铜和低电流电解沉铜按时间比例低于1:2来交替进行电解沉积铜，在基底上继续沉积铜；电流密度稳定为2.0～4.0A/dm2，通过沉积铜时间调节沉积铜的铜总厚度。本发明在基材表面形成保护膜，有效保护基材表面纳米铜不受环境氧化或酸侵蚀，进入电镀液中分子保护膜发生反应后快速脱离，电镀过程分阶段实施，对可能存在的针孔进行填补，降低针孔数量，有效解决了针孔过多过大以及产品翘曲严重的问题。
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