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公开(公告)号：CN118222993A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410641834.4
申请日：2024-05-23
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开了一种高熵合金涂层制备装置，包括真空腔室、与真空腔室连接的磁控溅射源、与真空腔室连通的分子泵，还包括与真空腔室连通的低能离子束系统；低能离子束系统包括离子束源一、离子束源二、离子束源三和离子束源四，四个离子束源和磁控溅射源汇聚于同一几何中心。本发明设计的四通道低能离子束和磁控复合装置能够解决高熵合金涂层成分、含量、结构以及性能的有效调控等关键技术问题，可制备任何一种高熵合金涂层，涂层厚度、种类、结构等均可有效精确调控。
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公开(公告)号：CN117042310B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311186320.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明提供一种无胶挠性覆铜板的生产设备，所述生产设备包括多个真空腔，收放卷系统、热处理装置、等离子处理组件，磁控溅射组件、热循环系统，所述磁控溅射组件包括多个靶极，所述收放卷系统的两端分别设置有放卷轴和收卷轴，所述放卷轴和收卷轴之间设置多个主动辊，所述真空腔包括第一真空腔，所述主动辊包括第一主动辊和第二主动辊，所述热处理装置设置在第一真空腔内，并设置在第一主动辊与第二主动辊之间的上方。本发明提供生产设备，通过在第一主动辊与第二主动辊之间的上方设置热处理装置，可对聚酰亚胺膜进行加热处理，烘干并减少其在存储过程中的吸水，这样形成的结构与基底层与后续的铜膜层的结合力都非常好，从而使其抗剥离强度大。
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公开(公告)号：CN117328113A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311336129.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开了一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用，包括以下步骤：使用过预处理剂对基材润湿清洗，基材表面形成保护膜；基材进入电镀液内，保护膜脱离基材，在基材表面的种子层上沉积铜，形成基底；采用高电流电解沉铜和低电流电解沉铜按时间比例低于1:2来交替进行电解沉积铜，在基底上继续沉积铜；电流密度稳定为2.0～4.0A/dm2，通过沉积铜时间调节沉积铜的铜总厚度。本发明在基材表面形成保护膜，有效保护基材表面纳米铜不受环境氧化或酸侵蚀，进入电镀液中分子保护膜发生反应后快速脱离，电镀过程分阶段实施，对可能存在的针孔进行填补，降低针孔数量，有效解决了针孔过多过大以及产品翘曲严重的问题。
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公开(公告)号：CN118042897A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410437723.1
申请日：2024-04-12
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
IPC: H10K71/00 , H10K50/844 , C23C14/32 , C23C14/48 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，属于OLED材料技术领域，步骤为：取含有电子传输层和导电层的OLED基体，取阴极靶材经机械触发发生弧光放电形成金属等离子体，然后通入O2，形成O离子；通过前置脉冲磁场对等离子体的弧斑运动速率和运动范围进行调控；进行等离子体沉积；开启脉冲电场，OLED基体表面产生感生电场，等离子体获得高能量，OLED基体表面沉积离子束发生高能注入；重复前面步骤得到封装氧化物。本发明无负脉冲偏压和脉冲偏压的循环组合能够同时有机融合解决内应力、结合强度等问题以及保持产品的高透光性。本发明的方法形成的薄膜致密、平整光滑，抗腐蚀性能好，与聚合物基体结合良好。
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公开(公告)号：CN113463060A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110819214.1
申请日：2021-07-20
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开了一种柔性聚合物金属沉积复合处理装置，包括放/收卷真空腔室、主体真空腔室、放/收卷装置和抽真空装置，放/收卷真空腔室和主体真空腔室之间通过狭缝一和狭缝二连通，放/收卷真空腔室内设置有放卷辊和收卷辊，主体真空腔室内设置有冷辊一、冷辊二和展平辊，展平辊分布有多个，冷辊一处设置有高功率脉冲磁控和低能离子束设备，冷辊二处设置有高功率脉冲磁控，聚合物基体膜从放卷辊开始，穿过狭缝一后经过展平辊、冷辊一、冷辊二后，经其他展平辊后穿过狭缝二回到收卷辊；抽真空装置用于放/收卷真空腔室和主体真空腔室的抽真空处理；本发明能够解决聚合物表面金属沉积的结合强度、均匀性和致密性不能满足使用要求的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119208614A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411235288.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 广东省广新离子束科技有限公司 , 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明提供的一种锂硫电池正极用集流体和制备方法及其应用，所述集流体包括金属基材，在金属基材的至少一个表面上通过离子束溅射对金属基材注入碳离子，形成石墨‑金属混合层，然后采用阴极弧沉积技术，在石墨‑金属混合层上沉积石墨层。本发明提高的锂硫电池用集流体的制备方法，通过离子束石墨化方法可有效控制石墨层均匀性，同时引入氮气作为气体离子源可以有效提高正极材料的导电性和对游离态的硫单质的吸附性，从而提升电池的容量和库伦效率。
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公开(公告)号：CN118600367A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410663449.X
申请日：2024-05-27
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开了一种卷绕镀膜屏蔽方法，涉及等离子体表面处理技术领域。该方案采用屏蔽装置，屏蔽装置包括屏蔽挡板、冷却导电管、冷辊、永磁体，冷却导电管间隔卷绕于屏蔽挡板上，永磁体设置于冷辊内并沿冷辊的转动中心轴间隔排布；该屏蔽方法为：向冷却导电管通电，冷辊内磁场和屏蔽挡板的内磁力线方向为同向，屏蔽挡板与冷辊之间的磁场强度为0mT～80mT，磁场均匀度为5％～10％；向冷却导电管内通入冷却液，冷却液通入的液流速度为1L/s～5L/s，使冷却导电管工作时表面温度为‑20℃～20℃。其通过磁场对等离子体进行精确控制，避免等离子体在屏蔽挡板和冷辊狭缝内绕射而对无聚合物覆盖的冷辊进行镀膜，从而对冷辊表面进行保护，具有屏蔽效果好、延长冷辊使用寿命的优点。
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公开(公告)号：CN118448810A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410782460.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
IPC: H01M50/403 , H01M50/457 , H01M50/434 , H01M50/431 , H01M50/489 , H01M10/42 , H01M10/0525 , H01M10/052
Abstract: 本发明属于锂电池技术领域，具体涉及一种锂电池隔膜及其制备方法和应用。本发明提供的锂电池隔膜具有七层隔膜结构，其中具有隔热性能的陶瓷氧化物层能够为聚合物隔膜提供支撑，减少因局部受热造成两端聚合物隔膜的收缩避免阴阳两极短路；且陶瓷氧化物层能提高隔膜基材在电解液中的热稳定性，在放电过程中保障锂离子通道，提高放电效率，增加电池的充放电循环寿命；当聚合物隔膜因枝晶或者外部环境撞击造成了损坏，使得阴阳极短路，在阴阳极短路过程中电解液温度升高，无机层中无机物挥发，无机物原子或分子填充至聚合物孔内堵塞微孔，防止电解质通过，达到断流的目的，使得阴阳极短路情况停止恶化，从而提高锂电池整体的安全性能。
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公开(公告)号：CN118042897B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410437723.1
申请日：2024-04-12
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
IPC: H10K71/00 , H10K50/844 , C23C14/32 , C23C14/48 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种有机发光半导体显示器件封装氧化物的制备方法，属于OLED材料技术领域，步骤为：取含有电子传输层和导电层的OLED基体，取阴极靶材经机械触发发生弧光放电形成金属等离子体，然后通入O2，形成O离子；通过前置脉冲磁场对等离子体的弧斑运动速率和运动范围进行调控；进行等离子体沉积；开启脉冲电场，OLED基体表面产生感生电场，等离子体获得高能量，OLED基体表面沉积离子束发生高能注入；重复前面步骤得到封装氧化物。本发明无负脉冲偏压和脉冲偏压的循环组合能够同时有机融合解决内应力、结合强度等问题以及保持产品的高透光性。本发明的方法形成的薄膜致密、平整光滑，抗腐蚀性能好，与聚合物基体结合良好。
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公开(公告)号：CN113539779A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110818293.4
申请日：2021-07-20
Applicant: 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)
Abstract: 本发明公开一种柔性聚合物处理高能离子束装置，涉及聚合物材料制备装置技术领域，包括放电腔室、阳极筒和处理真空室，放电腔室的一端设有进气口，放电腔室的另一端与阳极筒的一端相连接，阳极筒的另一端与处理真空室的一端相连接；所述处理真空室内设置有卷轴聚合物基体。放电气体经电晕针产生少部分等离子体后进入放电腔室，由放电腔室外部的振荡线圈和外置线包为电子提供能量并引导电子做螺旋运动，增加电子的运动路程，增加电子与气体的碰撞概率，从而使更多气体转化为等离子体；在通过扩张杯进入阳极筒进行加速，并反射电子，避免电子进入处理真空室，从而得到处理真空室内的高纯度的高能离子束，以提高结合强度、均匀性和致密性。
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