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公开(公告)号：CN110379909B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910693553.2
申请日：2019-07-30
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
IPC分类号： H01L33/50
摘要： 本申请涉及一种包覆式LED器件以及LED器件的制备方法，涉及LED技术领域，该包覆式LED器件包括LED芯片和设置在LED芯片上的光转换层，其中光转换层包含相互混合的纳米晶和聚合物，且纳米晶包裹在聚合物中。通过将纳米晶与聚合物混合，纳米晶均匀分散在聚合物中，并被聚合物包裹，隔绝水氧。然后将聚合物包裹的纳米晶涂覆在涂有绝热隔层的LED芯片上面作为LED光转换材料，结合LED芯片形成白光照明或者显示背光等。相较于现有技术，本申请提供的包覆式LED器件，通过聚合物隔绝水氧，能够防止水分或者氧气与纳米晶颗粒相接触，避免了水氧对纳米晶颗粒造成影响，保证了纳米晶的发光效率，进而提高了白光器件的环境稳定性。
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公开(公告)号：CN111647403B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202010639613.5
申请日：2020-07-06
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿量子点的制备方法和钙钛矿量子点，涉及显示技术领域，通过将含有镓离子的金属盐、卤化铅基前驱体和铯基前驱体混合，并搅拌后形成镓离子掺杂的钙钛矿量子点，其中，钙钛矿量子点中镓离子的掺杂比例小于或等于5％，通过高价金属镓离子的掺杂，可以提高钙钛矿量子点中的自由载流子浓度，钝化表面缺陷，从而提高荧光量子效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN111647403A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010639613.5
申请日：2020-07-06
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿量子点的制备方法和钙钛矿量子点，涉及显示技术领域，通过将含有镓离子的金属盐、卤化铅基前驱体和铯基前驱体混合，并搅拌后形成镓离子掺杂的钙钛矿量子点，其中，钙钛矿量子点中镓离子的掺杂比例小于或等于5％，通过高价金属镓离子的掺杂，可以提高钙钛矿量子点中的自由载流子浓度，钝化表面缺陷，从而提高荧光量子效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN108470720B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810245116.X
申请日：2018-03-23
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提供了一种利用湿法腐蚀剥离衬底的方法，包括：在衬底上溅射AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长器件结构，按照预设图形刻蚀器件结构形成腐蚀窗口和锚结构，生长形成将锚结构完全覆盖钝化层，将形成钝化层后的外延结构放入腐蚀溶液进行腐蚀，以将器件结构与衬底之间的AlN缓冲层腐蚀。本发明提供的AlN缓冲层同时也作为剥离衬底湿法腐蚀的牺牲层，AlN缓冲层的引入提高了在衬底上生长器件结构的质量，利用AlN缓冲层作牺牲层的湿法腐蚀剥离衬底可以避免由于激光剥离衬底热冲击导致的损伤，提高良率，并且成本低廉。有利于生长出高质量的器件薄膜。本发明提供的方法工艺简单，成本低，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN108461583B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201810110016.6
申请日：2018-02-05
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提供了一种紫外LED芯片的制作方法，涉及半导体发光器件领域。此方法采用先定义出紫外LED芯片结构的n型AlGaN欧姆接触区域，生长阻挡层覆盖其它区域，n型AlGaN欧姆接触区域上MOCVD生长薄层n‑GaN/n‑InGaN作为n型欧姆接触层，再制作倒装结构近紫外LED。薄层n‑GaN/n‑InGaN厚度足够薄，而且n‑GaN/n‑InGaN所占据区域小，n‑GaN/n‑InGaN对紫外光吸收极小，对发光效率影响不大。本发明可有效降低n‑AlGaN欧姆接触的退火温度，避免高温退火带来的工艺问题，具有方法简单、成本低廉、可以精确控制n‑GaN/n‑InGaN生长区域等优点，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN110379909A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910693553.2
申请日：2019-07-30
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
IPC分类号： H01L33/50
摘要： 本申请涉及一种包覆式LED器件以及LED器件的制备方法，涉及LED技术领域，该包覆式LED器件包括LED芯片和设置在LED芯片上的光转换层，其中光转换层包含相互混合的纳米晶和聚合物，且纳米晶包裹在聚合物中。通过将纳米晶与聚合物混合，纳米晶均匀分散在聚合物中，并被聚合物包裹，隔绝水氧。然后将聚合物包裹的纳米晶涂覆在涂有绝热隔层的LED芯片上面作为LED光转换材料，结合LED芯片形成白光照明或者显示背光等。相较于现有技术，本申请提供的包覆式LED器件，通过聚合物隔绝水氧，能够防止水分或者氧气与纳米晶颗粒相接触，避免了水氧对纳米晶颗粒造成影响，保证了纳米晶的发光效率，进而提高了白光器件的环境稳定性。
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公开(公告)号：CN109065660A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810960600.0
申请日：2018-08-22
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/1804
摘要： 本发明提供了一种波导型光伏场效应晶体管结构的光敏器件及制作方法，涉及光电半导体技术领域。波导型光伏场效应晶体管结构的光敏器件的源区与漏区分别嵌设于衬底的同一端的两侧，栅极介质层与衬底面连接，且栅极介质层的两端分别与源电极、漏电极连接，光伏结构层与栅极介质层的远离衬底的一侧面连接，光波导层与光伏结构层的远离衬底的一侧面连接，栅电极与光波导层的远离衬底的一侧面连接；或与光伏结构层的远离衬底的一侧面连接。本发明提供的波导型光伏场效应晶体管结构的光敏器件及制作方法具有超高的内增益、高带宽、制备工艺和工作电压与CMOS完全兼容、可与微电子器件紧密集成等优点。
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公开(公告)号：CN108767027A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810959984.4
申请日：2018-08-22
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1136 , H01L31/03529 , H01L31/1808
摘要： 本发明提供了一种光伏场效应晶体管结构的光敏器件及其制作方法，涉及光电半导体技术领域。该光伏场效应晶体管结构的光敏器件包括衬底、源区、漏区、源电极、漏电极、栅极介质层、光伏结构层以及栅电极，源区与漏区分别嵌设于衬底的同一端的两侧，栅极介质层与衬底面连接，且栅极介质层的两端分别与源电极、漏电极连接，光伏结构层与栅极介质层的远离衬底的一侧面连接，栅电极与光伏结构层的远离栅极介质层的一侧面连接。本发明提供的光伏场效应晶体管结构的光敏器件及其制作方法具有较高的内增益、高带宽、制备工艺和工作电压与CMOS完全兼容、可与微电子器件紧密集成等优点。
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公开(公告)号：CN108461583A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810110016.6
申请日：2018-02-05
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提供了一种紫外LED芯片的制作方法，涉及半导体发光器件领域。此方法采用先定义出紫外LED芯片结构的n型AlGaN欧姆接触区域，生长阻挡层覆盖其它区域，n型AlGaN欧姆接触区域上MOCVD生长薄层n-GaN/n-InGaN作为n型欧姆接触层，再制作倒装结构近紫外LED。薄层n-GaN/n-InGaN厚度足够薄，而且n-GaN/n-InGaN所占据区域小，n-GaN/n-InGaN对紫外光吸收极小，对发光效率影响不大。本发明可有效降低n-AlGaN欧姆接触的退火温度，避免高温退火带来的工艺问题，具有方法简单、成本低廉、可以精确控制n-GaN/n-InGaN生长区域等优点，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN108461535B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201810332029.8
申请日：2018-04-13
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明实施例提出一种微纳晶体管与微纳晶体管制作方法，涉及微纳晶体管技术领域。所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层，所述缓冲层铺设于所述衬底，所述外延层的端部与所述缓冲层面连接，所述势垒层铺设与所述外延层上，所述栅极介质层铺设于所述势垒层上，所述栅极金属层铺设于所述栅极介质层上，所述源极金属层与所述漏极金属层分别铺设于所述势垒层的靠近两端的位置，且制作所述缓冲层与所述外延层的材料相同。本发明实施例提供的微纳晶体管与微纳晶体管制作方法具有减小了晶格失配与热失配的优点。
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