一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统

    公开(公告)号:CN117849566B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202311720624.6

    申请日:2023-12-13

    Abstract: 本发明属于故障检测技术领域,尤其涉及一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统,包括:S1:提取开通脉冲和关断脉冲;S2:提取实际内部栅极状态信号;S3:检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性;S4:对信号进行低通滤波;S5:锁存故障信号;S6:生成最终驱动信号。本发明结构简单、成本低,只需要通用运算放大器、二极管、逻辑器件等成本低廉的元器件,无需高性能的微控制器,大大降低了总体成本。本发明设计步骤简单、使用方便、原理巧妙,设计过程简单,无需复杂的电路参数设计过程。本发明检测速度快,由于使用的都是模拟电路器件和逻辑电路器件,无需微控制器等复杂的检测或控制单元,所以检测速度很快。

    IGBT器件剩余寿命预测方法及系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118625087A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410772875.7

    申请日:2024-06-17

    Abstract: 本申请提供了IGBT器件剩余寿命预测方法和系统,包括:模拟IGBT器件功率循环老化的实验,根据所述实验采集导通压降历史数据,并根据所述导通压降历史数据,分别获取模型参数经验值和模型参数估计值;据当前运行状态,构造第一状态权重,并根据所述模型参数经验值和所述第一状态权重,对所述模型参数估计值进行平滑调整,得到参数修正结果;根据所述参数修正结果,建立状态转移方程,并根据所述状态转移方程对IGBT器件进行剩余寿命预测;采用本申请能够提高IGBT器件的剩余寿命预测的精确度。

    一种压接型IGBT器件的测试装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118409179A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410555827.2

    申请日:2024-05-07

    Abstract: 本发明涉及半导体测试技术领域中的一种压接型IGBT器件的测试装置,包括下压组件、定位组件以及滑动设置于定位组件上的第一压板、第二压板,且第一压板与第二压板相对设置,定位组件固定安装在支撑台上,下压组件固定在定位组件上,并驱动第一压板在定位组件上滑动,第一压板和第二压板相对的端面上均设置有冷却组件,且压接型IGBT器件设置于第二压板上的冷却组件上,冷却组件的进出口流道为漏斗型设置,解决了现有压接型IGBT器件测试工装中,夹具的散热水冷板因采用圆形截面流道而使得流道和流道壁面存在散热不均匀性,进而导致测试结果准确性的问题。

Patent Agency Ranking