- 专利标题: 基于银烧结层微观缺陷形态老化模拟的压接型IGBT模块寿命预测方法和相关装置
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申请号: CN202410786155.6申请日: 2024-06-18
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公开(公告)号: CN118746739A公开(公告)日: 2024-10-08
- 发明人: 袁智勇 , 熊岩 , 李盈 , 赖伟 , 周月宾 , 马凯 , 谭令其 , 江链涛 , 上官苗苗 , 夏克鹏
- 申请人: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
- 申请人地址: 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼;
- 专利权人: 南方电网科学研究院有限责任公司,广东电网有限责任公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 南方电网科学研究院有限责任公司,广东电网有限责任公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼;
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 沈闯
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G06F30/23 ; G06F119/04 ; G06F119/02 ; G06F119/08
摘要:
本发明提供了一种基于银烧结层微观缺陷形态老化模拟的压接型IGBT模块寿命预测方法和相关装置,包括获取有限元精细化模型进行功率循环试验的结温和壳温并计算热阻;采用线性叠加的方式计算模型中每个网格的累积损伤度;记录有限元精细化模型中累积损伤度达到临界值的网格为失效网格;基于失效网格删除有限元精细化模型的网格实体;删除网格实体后重新进行功率循环试验,直至热阻增加到设定值后,将此时的功率循环次数作为该模块的寿命。本发明通过建立基于银烧结层微观缺陷形态的有限元精细化模型,能够更准确地模拟IGBT模块在实际工作条件下的热行为。这种精细化模型考虑了银烧结层的具体特性,提高了预测IGBT模块寿命的精确度。