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公开(公告)号：CN118385731A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410834006.2
申请日：2024-06-26
申请人： 广东先导院科技有限公司 , 陕西光电子先导院科技有限公司
IPC分类号： B23K26/062 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种GaAs基芯片的切割方法，包括：获取GaAs晶圆及其预设的多个待分离芯片间的切割道信息，并基于切割道金属层信息，将切割道细分并分别对待处理的金属层子切割道与非金属层子切割道制定相应的激光束参数，利用调制后的激光束精准照射并熔断子切割道金属层，实现多层结构逐一分解，随后实施隐形切割，在所有子切割道上形成改质层，以确保后续无损剥离。本发明通过对不同材质、厚度的金属层进行精确熔断与隐形切割，有效避免了传统切割方式造成的热影响区过大和芯片损伤问题，显著提升了GaAs基芯片的切割质量和良品率。
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公开(公告)号：CN118417721B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410834009.6
申请日：2024-06-26
申请人： 广东先导院科技有限公司 , 陕西光电子先导院科技有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/046 , B23K26/0622 , B23K26/082 , H01L21/78 , G06T7/00 , G06T7/13 , G06T7/168 , G06T7/62
摘要： 本发明公开了一种GaAs基芯片的激光切割方法，涉及激光加工技术领域。方法包括步骤：通过正交试验获取不同焦点深度参数下影响切割质量的控制参数的最优水平组合，生成焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表。根据焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表控制激光切割装置对芯片进行切割；在切割过程中监测激光装置的实际输出测量值，并根据实际输出测量值和当前的焦点深度参数对应的最优水平组合实时调整激光装置的控制参数。本发明根据焦点深度调整控制参数，实现了对切割质量的有效控制，使得切割过程可控，有利于提高芯片制作的精度和效率。
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公开(公告)号：CN118417721A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410834009.6
申请日：2024-06-26
申请人： 广东先导院科技有限公司 , 陕西光电子先导院科技有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/046 , B23K26/0622 , B23K26/082 , H01L21/78 , G06T7/00 , G06T7/13 , G06T7/168 , G06T7/62
摘要： 本发明公开了一种GaAs基芯片的激光切割方法，涉及激光加工技术领域。方法包括步骤：通过正交试验获取不同焦点深度参数下影响切割质量的控制参数的最优水平组合，生成焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表。根据焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表控制激光切割装置对芯片进行切割；在切割过程中监测激光装置的实际输出测量值，并根据实际输出测量值和当前的焦点深度参数对应的最优水平组合实时调整激光装置的控制参数。本发明根据焦点深度调整控制参数，实现了对切割质量的有效控制，使得切割过程可控，有利于提高芯片制作的精度和效率。
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公开(公告)号：CN118385731B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410834006.2
申请日：2024-06-26
申请人： 广东先导院科技有限公司 , 陕西光电子先导院科技有限公司
IPC分类号： B23K26/062 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种GaAs基芯片的切割方法，包括：获取GaAs晶圆及其预设的多个待分离芯片间的切割道信息，并基于切割道金属层信息，将切割道细分并分别对待处理的金属层子切割道与非金属层子切割道制定相应的激光束参数，利用调制后的激光束精准照射并熔断子切割道金属层，实现多层结构逐一分解，随后实施隐形切割，在所有子切割道上形成改质层，以确保后续无损剥离。本发明通过对不同材质、厚度的金属层进行精确熔断与隐形切割，有效避免了传统切割方式造成的热影响区过大和芯片损伤问题，显著提升了GaAs基芯片的切割质量和良品率。
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公开(公告)号：CN116131098A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211654729.1
申请日：2022-12-22
申请人： 陕西光电子先导院科技有限公司
摘要： 本发明公开了快速验证VCSEL外延片的工艺方法，具体为：在外延片正面沉积一层钝化层，进行正面第一道MESA光刻，形成MESA图层，然后使用ICP蚀刻机进行蚀刻，露出高铝层，再进行湿法氧化；然后进行第二道光刻，露出15‑25微米的圆环，圆环内径区域是出光口，使光刻的形貌为下面宽上面窄，最后再进行ICP蚀刻，蚀刻掉钝化层，蚀刻到外延片的P型欧姆接触层,完成后蒸镀金属、退火处理，此时正面与背面形成比较好的欧姆接触。本发明方法快速验证所购买的外延片的质量，节约验证时间与成本；芯片厂的快速验证的电性数据反馈给外延厂，外延厂能快速的优化外延结构，缩短产品的研发周期，提升外延厂的产品竞争力。
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公开(公告)号：CN116646820A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310720777.4
申请日：2023-06-16
申请人： 广东先导院科技有限公司
摘要： 本发明改善光束质量的脊波导结构，包括半导体衬底，半导体衬底上生长外延结构，外延结构上刻蚀沟槽，沟槽内填充材料；在沟槽内填充材料，外延结构所能支持的模式数会随之减少，从而导致光束质量的提升。填充材料的折射率足够大，还可以形成反波导效应，这时光在外延结构中的传播依赖的是增益波导机制，光束质量也会得到充分提升。沟槽填充材料后，外延结构的横向导热能量得到改善，从而降低了波导与其相邻两侧的沟槽区域之间的温度的梯度分布，降低热透镜的效应，光束质量得以改善。
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