公开(公告)号：CN1656658A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811872.6

申请日：2003-05-19

Applicant: 帝国学院创新有限公司

Inventor： T·S·琼斯 ,  P·霍维 ,  R·默里 ,  E·勒鲁

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L29/127 ,  H01L33/06 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34306 ,  Y10S438/962

Abstract: 借助于形成被具有延伸通过其中的应变区域的间隔层覆盖的第一层量子点，提供了一种形成组合有半导体量子点的光电子器件有源区的方法，此量子点在大致293K的温度下，在超过1350nm的波长处发生基态发射。间隔层然后形成为模板，其上可以形成具有受到下方第一层量子点影响的表面密度和构造的有源层的量子点。这使得能够选择更有利于形成长波长下以窄的不均匀加宽发射的有源层中的量子点的生长参数。作为一个例子，可以在比形成第一层量子点更低的温度下形成量子点的有源层。有源层的量子点然后承受与周围间隔层和帽层更少的相互混合，还能够保留更多的应变弛豫态，这导致具有更窄的不均匀加宽的长波长发射。此方法特别适合于GaAs衬底上的光电子器件的有源层的生长。

公开(公告)号：CN100375353C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03811872.6

申请日：2003-05-19

Applicant: 帝国学院创新有限公司

Inventor： T·S·琼斯 ,  P·霍维 ,  R·默里 ,  E·勒鲁

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L29/127 ,  H01L33/06 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34306 ,  Y10S438/962

Abstract: 借助于形成被具有延伸通过其中的应变区域的间隔层覆盖的第一层量子点，提供了一种形成组合有半导体量子点的光电子器件有源区的方法，此量子点在大致293K的温度下，在超过1350nm的波长处发生基态发射。间隔层然后形成为模板，其上可以形成具有受到下方第一层量子点影响的表面密度和构造的有源层的量子点。这使得能够选择更有利于形成长波长下以窄的不均匀加宽发射的有源层中的量子点的生长参数。作为一个例子，可以在比形成第一层量子点更低的温度下形成量子点的有源层。有源层的量子点然后承受与周围间隔层和帽层更少的相互混合，还能够保留更多的应变弛豫态，这导致具有更窄的不均匀加宽的长波长发射。此方法特别适合于GaAs衬底上的光电子器件的有源层的生长。