公开(公告)号：CN103021807B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210396750.6

申请日：2009-10-22

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： 洪文斌 ,  白东顺 ,  T.D.弗莱 ,  R.普利吉达

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/187 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  C09J123/0823 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24802

Abstract: 晶片粘合方法，该方法包括：将粘合组合物通过旋涂施加到第一基片或第二基片之一以形成粘合层，所述层为由相同组合物形成的在其厚度上均匀的材料；和将该第一基片和第二基片通过所述粘合层粘合在一起。

公开(公告)号：CN103021807A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210396750.6

申请日：2009-10-22

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： 洪文斌 ,  白东顺 ,  T.D.弗莱 ,  R.普利吉达

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/187 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  C09J123/0823 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24802

Abstract: 晶片粘合方法，该方法包括：将粘合组合物通过旋涂施加到第一基片或第二基片之一以形成粘合层，所述层为由相同组合物形成的在其厚度上均匀的材料；和将该第一基片和第二基片通过所述粘合层粘合在一起。

公开(公告)号：CN104022016B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201410147263.5

申请日：2011-08-05

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： R.普利吉达 ,  X-F.钟 ,  T.D.弗莱 ,  J.麦卡琴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及薄晶片处理的多粘合层。提供一种临时地结合半导体衬底的多粘合层方案。在该创新性粘合方案中，多个层中的至少一个层直接与半导体衬底接触并且该方案中的至少两个层直接彼此接触。本发明提供若干加工选择，因为多层结构中的不同层执行具体功能。更重要地，通过提供更高的温度稳定性、与粗糙背侧加工步骤更大的兼容性、通过封装对晶片前侧凸起的保护、在脱粘步骤中更低的应力和前侧更少的缺陷来提高薄晶片处理方案的性能。

公开(公告)号：CN104022016A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410147263.5

申请日：2011-08-05

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： R.普利吉达 ,  X-F.钟 ,  T.D.弗莱 ,  J.麦卡琴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及薄晶片处理的多粘合层。提供一种临时地结合半导体衬底的多粘合层方案。在该创新性粘合方案中，多个层中的至少一个层直接与半导体衬底接触并且该方案中的至少两个层直接彼此接触。本发明提供若干加工选择，因为多层结构中的不同层执行具体功能。更重要地，通过提供更高的温度稳定性、与粗糙背侧加工步骤更大的兼容性、通过封装对晶片前侧凸起的保护、在脱粘步骤中更低的应力和前侧更少的缺陷来提高薄晶片处理方案的性能。