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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1236482A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN98801111.5
申请日：1998-08-04
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31116 , C11D3/3784 , C11D7/16 , C11D7/32 , C11D7/3272 , C11D11/0023 , C11D11/0047 , G02F2001/133302 , H01L21/02063
Abstract: 本发明的清洁剂包含作为活性成分的由正磷酸和脲反应产生的多磷酸－脲缩合物或磷酸－脲聚合物。这种清洁剂用于半导体器件生产过程或液晶器件生产过程中至少一步中的金属表面和/或玻璃表面的清洁。根据本发明,可以在高的环境和工作安全性条件下,有效地清洁金属(包括半金属)和玻璃表面的蚀刻残余物及杂质,而且不会引起金属腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN1127121C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN98801111.5
申请日：1998-08-04
IPC: H01L21/302 , C11D3/06 , C11D7/16 , C23C22/07
CPC classification number: H01L21/31116 , C11D3/3784 , C11D7/16 , C11D7/32 , C11D7/3272 , C11D11/0023 , C11D11/0047 , G02F2001/133302 , H01L21/02063
Abstract: 本发明的清洁剂包含作为活性成分的由正磷酸和脲反应产生的多磷酸-脲缩合物或磷酸-脲聚合物。这种清洁剂用于半导体器件生产过程或液晶器件生产过程中至少一步中的金属表面和/或玻璃表面的清洁。根据本发明，可以在高的环境和工作安全性条件下，有效地清洁金属(包括半金属)和玻璃表面的蚀刻残余物及杂质，而且不会引起金属腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN1867659A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030400.1
申请日：2004-11-24
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/3209
Abstract: 本发明提供使用1种液体、不腐蚀配线或门等的在常温并且短时间内可除去晶片表面的颗粒、金属杂质的洗涤剂。为解决上述课题，本发明制得是含有磷酸、氢氟酸、氨和/或胺，pH为2－12范围的水溶液，其含有磷酸0.5－25质量％，氨和/或胺0.1－10质量％，氢氟酸5×10－3－5.0质量％的洗涤剂。
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公开(公告)号：CN1290402A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN99802813.4
申请日：1999-12-09
Applicant: 岸本产业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/027 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种无毒、没有危险的光刻胶残渣去除剂,能使光刻胶残渣的去除进行而没有金属腐蚀或其它问题并且具有安全性。所述去除剂是一种含有磷酸铵和/或缩聚磷酸铵的水溶液,pH值在1—10范围内。
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公开(公告)号：CN1139970C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN99802813.4
申请日：1999-12-09
Applicant: 岸本产业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/027 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种无毒、没有危险的光刻胶残渣去除剂，能进行光刻胶残渣的去除而没有金属腐蚀或其它问题并且具有安全性。所述去除剂是一种含有磷酸铵和/或缩聚磷酸铵的水溶液，pH值在1-10范围内。
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