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公开(公告)号：CN112318618B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202011276530.0
申请日：2020-11-16
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明涉及了一种用于半导体膜状扩散源的半自动裁切设备，包括底座、横梁装置、Z轴装置、液压站、控制系统和手动操控盒；底座包括光滑平整的工作台面，工作台面用于承载大块半导体膜状扩散源；Z轴装置包括安装板、液压缸和裁切刀具，液压缸的活塞杆沿Z轴伸缩动作；裁切刀具包括刀具安装头、刀具、压片和回弹结构；刀具用于将待加工的大块半导体膜状扩散源切割为圆片状的半导体膜状扩散源成品，压片通过回弹结构与刀具安装柱相连，用于按压刀具正对区域中的半导体膜状扩散源；液压缸通过电磁阀和液压管与液压站相连，液压缸的动作通过手动操控盒进行控制。采用本技术方案，可以使加工原料的利用率最大化、降低连续生产的次品率。
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公开(公告)号：CN117680258A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410043088.9
申请日：2024-01-11
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明属于半导体生产成型设备技术领域，具体涉及一种半导体膜状扩散源原料研磨装置及研磨方法，半导体膜状扩散源原料研磨装置包括机架和研磨机构，还包括取样机构和检测机构；研磨机构包括研磨桶、研磨杵和外罩；取样机构包括取样组件、旋转升降组件和底座，检测机构与所述研磨机构关于所述取样机构对称设置；相比现有技术，本发明的有益技术效果是：(1)通过取样机构和检测机构在半导体膜状扩散源原料研磨过程中，对研磨原料进行取样和检测，实现对原料的研磨状态的实时检测，继而对原料研磨状态实时控制；（2）通过定时取样检测，确保原料研磨原料处于合适范围，防止研磨不充分进行二次研磨，同时避免过度研磨造成资源浪费。
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公开(公告)号：CN115083892A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210897427.0
申请日：2022-07-28
申请人： 山东芯源微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/223 , H01L29/06
摘要： 本发明属于高压整流用芯片生产技术领域，具体涉及一种高压和超高压芯片扩散更宽的耐压区的方法，包括以下步骤：步骤一选择含有高浓度硼和高浓度铝的硼铝膜状扩散源；步骤二叠片和装入扩散舟；步骤三烧源，将装有叠片的扩散舟在扩散炉炉温低于200℃时装炉并升温到烧源温度烧源；步骤四扩散过程，烧源后扩散炉按预设的升温斜率升温到预设的扩散温度后保温；步骤五扩散后分片；与现有技术相比，(1)本发明实现了扩散处理后的硅片中具有更窄的P+层和更宽的P‑层，从而使得耐压区宽度更大，扩散处理后的硅片耐压值更高；(2)烧源步骤的扩散舟进炉温度不高于200℃，避免过高的温度下膜状源分解剧烈产生燃烧。
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公开(公告)号：CN114823987A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210761776.X
申请日：2022-06-30
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明属于太阳能电池片生产技术领域，具体涉及一种利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，包括绒面制备、扩散前清洗和扩散；所述扩散过程包括：步骤一选择相同或不同的半导体膜状扩散源，所述半导体膜状扩散源包括磷纸源和硼纸源；步骤二将半导体膜状扩散源切割成与硅片扩散区相同的尺寸和形状；步骤三把已表面处理后的硅片与半导体膜状扩散源进行叠片；步骤四将叠片装入扩散舟，然后将扩散舟放入扩散炉内进行扩散操作；与现有技术相比，本发明申请的积极效果在于：改变了现有的硅基高效太阳能发电基片制造PN结还在延续原来的气态源或者液态源扩散方式的现状；克服了硅片扩散过程中生产效率低、制造工艺繁琐的不利问题。
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公开(公告)号：CN117790375A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410043229.7
申请日：2024-01-11
申请人： 山东芯源微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , B05B16/20 , H01L21/677 , H01L21/22 , F26B21/00
摘要： 本发明属于半导体膜生产设备技术领域，具体涉及一种半导体膜状扩散源成型装置及使用方法，半导体膜状扩散源成型装置包括机架、成膜传送辊、喷涂机构、烘干机构和分切机构，喷涂机构与烘干机构之间安装离子注入机构，烘干机构包括烘干箱，烘干箱安装温度控制组件；相比于现有技术，本发明通过离子注入机构改变材料表面的性质，增强半导体膜状扩散源的抗裂性；通过温度控制组件，较为准确实现控温的效果，避免在膜状扩散源成型过程中，由于温度的影响导致扩散不均匀，从而影响半导体的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN112466746B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010353492.8
申请日：2020-04-29
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种膜状扩散源成型机，主要涉及半导体膜生产设备技术领域，包括底座、机架，在所述底座上设有成膜传送辊，在所述成膜传送辊一端设有喷涂装置、另一端设有分切装置，在所述喷涂装置一侧设有烘干装置，提高了横梁运动方向的约束，使得运动和行程不易受外部影响，使得喷头在喷涂是更加均匀，既提高了烘干效率，又使水汽能够及时的排出，保证了烘干的质量提高，增加了烘干装置的空间利用度，使得膜烘干过程更加高效、节能和环保，滑动套在导向轴的作用下，使得滑动套底端固接的切刀座上的切刀片在平辊带上进行切割，形成倾斜直线角度切割，调节快速便捷，导向传动的作用较稳定提高膜分切机分切产品质量的稳定性。
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公开(公告)号：CN112002669A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010913298.0
申请日：2020-09-03
申请人： 山东芯源微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/225
摘要： 本发明公开了一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法，主要涉及硅片生产制造技术领域，包括硅片和贴紧在硅片扩散面的扩散源，还包括贴紧在硅片保护面的隔离膜，所述隔离膜由活性氧化铝粉料和粘合剂混合成的浆料喷涂和沉淀干燥制成的膜状物，隔离膜中的的活性氧化铝粉料吸收反型的气氛，解决了背面同时扩散相同物质的问题，可以做到扩散后背面减少或者不用吹砂或者研磨来去除。
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公开(公告)号：CN113021480B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110230377.6
申请日：2021-03-02
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体膜状扩散源下料切分装置，属于生产成型设备技术领域，包括支架以及设置在支架上的定位柱，压杆通过弹性支架固定在定位尺上，初始状态，下料板卡接在定位柱顶部成凹槽型上，根据定位尺底部的红外感应器感应半导体膜状扩散源到定位尺底部的距离，液压缸可实现升降，防止压块破损半导体膜状扩散源，工作人将手动将下料板抬起，下料板的上部在铰接架的作用下，旋转运动，定位尺顶尖在定位弧板上，压杆通过弹性支架压紧压料弧板上的半导体膜状扩散源，工作人员通过刀具沿着定位尺分切，使得分切误差减少，稳定性较高，提高了分切效率。
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公开(公告)号：CN113021480A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110230377.6
申请日：2021-03-02
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体膜状扩散源下料切分装置，属于生产成型设备技术领域，包括支架以及设置在支架上的定位柱，压杆通过弹性支架固定在定位尺上，初始状态，下料板卡接在定位柱顶部成凹槽型上，根据定位尺底部的红外感应器感应半导体膜状扩散源到定位尺底部的距离，液压缸可实现升降，防止压块破损半导体膜状扩散源，工作人将手动将下料板抬起，下料板的上部在铰接架的作用下，旋转运动，定位尺顶尖在定位弧板上，压杆通过弹性支架压紧压料弧板上的半导体膜状扩散源，工作人员通过刀具沿着定位尺分切，使得分切误差减少，稳定性较高，提高了分切效率。
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公开(公告)号：CN112466746A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010353492.8
申请日：2020-04-29
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种膜状扩散源成型机，主要涉及半导体膜生产设备技术领域，包括底座、机架，在所述底座上设有成膜传送辊，在所述成膜传送辊一端设有喷涂装置、另一端设有分切装置，在所述喷涂装置一侧设有烘干装置，提高了横梁运动方向的约束，使得运动和行程不易受外部影响，使得喷头在喷涂是更加均匀，既提高了烘干效率，又使水汽能够及时的排出，保证了烘干的质量提高，增加了烘干装置的空间利用度，使得膜烘干过程更加高效、节能和环保，滑动套在导向轴的作用下，使得滑动套底端固接的切刀座上的切刀片在平辊带上进行切割，形成倾斜直线角度切割，调节快速便捷，导向传动的作用较稳定提高膜分切机分切产品质量的稳定性。
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