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公开(公告)号：CN112318618B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202011276530.0
申请日：2020-11-16
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明涉及了一种用于半导体膜状扩散源的半自动裁切设备，包括底座、横梁装置、Z轴装置、液压站、控制系统和手动操控盒；底座包括光滑平整的工作台面，工作台面用于承载大块半导体膜状扩散源；Z轴装置包括安装板、液压缸和裁切刀具，液压缸的活塞杆沿Z轴伸缩动作；裁切刀具包括刀具安装头、刀具、压片和回弹结构；刀具用于将待加工的大块半导体膜状扩散源切割为圆片状的半导体膜状扩散源成品，压片通过回弹结构与刀具安装柱相连，用于按压刀具正对区域中的半导体膜状扩散源；液压缸通过电磁阀和液压管与液压站相连，液压缸的动作通过手动操控盒进行控制。采用本技术方案，可以使加工原料的利用率最大化、降低连续生产的次品率。
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公开(公告)号：CN117680258A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410043088.9
申请日：2024-01-11
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明属于半导体生产成型设备技术领域，具体涉及一种半导体膜状扩散源原料研磨装置及研磨方法，半导体膜状扩散源原料研磨装置包括机架和研磨机构，还包括取样机构和检测机构；研磨机构包括研磨桶、研磨杵和外罩；取样机构包括取样组件、旋转升降组件和底座，检测机构与所述研磨机构关于所述取样机构对称设置；相比现有技术，本发明的有益技术效果是：(1)通过取样机构和检测机构在半导体膜状扩散源原料研磨过程中，对研磨原料进行取样和检测，实现对原料的研磨状态的实时检测，继而对原料研磨状态实时控制；（2）通过定时取样检测，确保原料研磨原料处于合适范围，防止研磨不充分进行二次研磨，同时避免过度研磨造成资源浪费。
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公开(公告)号：CN115083892A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210897427.0
申请日：2022-07-28
申请人： 山东芯源微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/223 , H01L29/06
摘要： 本发明属于高压整流用芯片生产技术领域，具体涉及一种高压和超高压芯片扩散更宽的耐压区的方法，包括以下步骤：步骤一选择含有高浓度硼和高浓度铝的硼铝膜状扩散源；步骤二叠片和装入扩散舟；步骤三烧源，将装有叠片的扩散舟在扩散炉炉温低于200℃时装炉并升温到烧源温度烧源；步骤四扩散过程，烧源后扩散炉按预设的升温斜率升温到预设的扩散温度后保温；步骤五扩散后分片；与现有技术相比，(1)本发明实现了扩散处理后的硅片中具有更窄的P+层和更宽的P‑层，从而使得耐压区宽度更大，扩散处理后的硅片耐压值更高；(2)烧源步骤的扩散舟进炉温度不高于200℃，避免过高的温度下膜状源分解剧烈产生燃烧。
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公开(公告)号：CN114823987A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210761776.X
申请日：2022-06-30
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明属于太阳能电池片生产技术领域，具体涉及一种利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，包括绒面制备、扩散前清洗和扩散；所述扩散过程包括：步骤一选择相同或不同的半导体膜状扩散源，所述半导体膜状扩散源包括磷纸源和硼纸源；步骤二将半导体膜状扩散源切割成与硅片扩散区相同的尺寸和形状；步骤三把已表面处理后的硅片与半导体膜状扩散源进行叠片；步骤四将叠片装入扩散舟，然后将扩散舟放入扩散炉内进行扩散操作；与现有技术相比，本发明申请的积极效果在于：改变了现有的硅基高效太阳能发电基片制造PN结还在延续原来的气态源或者液态源扩散方式的现状；克服了硅片扩散过程中生产效率低、制造工艺繁琐的不利问题。
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公开(公告)号：CN118218800B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410629433.7
申请日：2024-05-21
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明属于半导体膜状扩散源成型设备技术领域，具体涉及一种半导体膜状扩散源自动分切机构和方法，自动分切机构包括机架、底座、激光切割装置、负压吸盘和控制器；激光切割装置安装在移动块一下部，负压吸盘安装在移动块二下方；激光切割装置能够在移动块一带动下移动至底座正上方，并对底座上的整张半导体膜状扩散源进行激光切割；底座内安装有举升装置，举升装置能够将切割得到的扩散源单元举起；负压吸盘能够在移动块二带动下移动至扩散源单元正上方，并将扩散源单元吸住；与现有技术相比，本发明的优点和积极效果在于：采用激光切割装置对整张半导体膜状扩散源进行分切，能够避免现有技术中使用裁切刀具引起的裂边、毛边、粘刀等技术问题。
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公开(公告)号：CN117532905A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311496338.6
申请日：2023-11-10
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体膜状扩散源自动成型设备，涉及半导体膜状扩散源生产技术领域。该半导体膜状扩散源自动成型设备，包括第一带状运输机和第二带状运输机，所述第一带状运输机的上表面两端分别固定连接有干燥箱和第一龙门架，所述干燥箱的内部安装有导流机构，且所述第一带状运输机的内部安装有与导流机构相配合的预热机构；所述第一龙门架的上表面对称固定连接有支腿，两个所述支腿的顶部共同固定连接有搅拌桶。通过设计一体式的搅拌机构、喷涂机构、干燥箱和裁切机构，原料进入搅拌桶混匀后经由喷头向外喷出附于基础，再经由干燥箱进行干燥成膜，随后进入第二带状运输机，再通过切刀裁切成型，整个纸源的成型实现了配合性十足的一体化操作。
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公开(公告)号：CN117334651A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311496341.8
申请日：2023-11-10
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种成膜设备，包括设备箱，所述设备箱内部中间位置固定有两个隔板，两个所述隔板将设备箱内部分隔为成膜腔和烘干腔，两个所述隔板之间设有分隔结构。通过设置设备箱、第一直线电机、第二电动伸缩杆、吊篮结构、储液槽、喷淋结构、搅拌结构和热风扇，将需要覆膜的电子元器件放在吊篮结构的网兜内部，吊篮结构下降沉浸到储液槽内部后，通过喷淋结构将搅拌结构内部混合的晶体材料溶液均匀喷洒在储液槽内部纯水表面，接着提升吊篮结构，使得晶体材料溶液在电子元器件表面成膜，再通过第一直线电机将吊篮结构送入烘干腔内部烘干即可，该设备完全实现自动化成膜和烘干，无需人工参与，生产效率更高。
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公开(公告)号：CN114823987B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210761776.X
申请日：2022-06-30
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明属于太阳能电池片生产技术领域，具体涉及一种利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，包括绒面制备、扩散前清洗和扩散；所述扩散过程包括：步骤一选择相同或不同的半导体膜状扩散源，所述半导体膜状扩散源包括磷纸源和硼纸源；步骤二将半导体膜状扩散源切割成与硅片扩散区相同的尺寸和形状；步骤三把已表面处理后的硅片与半导体膜状扩散源进行叠片；步骤四将叠片装入扩散舟，然后将扩散舟放入扩散炉内进行扩散操作；与现有技术相比，本发明申请的积极效果在于：改变了现有的硅基高效太阳能发电基片制造PN结还在延续原来的气态源或者液态源扩散方式的现状；克服了硅片扩散过程中生产效率低、制造工艺繁琐的不利问题。
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公开(公告)号：CN114999903A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210395191.0
申请日：2022-04-15
申请人： 山东芯源微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/228
摘要： 本发明属于硅片扩散膜技术领域，具体涉及一种减小硅片扩散硼硅玻璃层厚度的硼膜制造方法，包括以下步骤：步骤一液态硼扩散源制备；步骤二液态硼扩散源沉淀形成固态硼扩散膜；步骤三后处理，所述后处理过程中对固态硼扩散膜进行低温干燥；步骤四将干燥后的固体硼扩散膜切割成型；步骤五分选；相比于现有技术，(1)利用本发明制备的硼扩散膜对硅片进行扩散处理后，硅片表面只有很薄的(不大于50纳米)硼硅玻璃层，不再需要利用机械方式进行处理；不会增加硅片的机械应力；(2)提升硅片扩散处理后的产品特性；(3)有利于最终产品芯片的良率提升。
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公开(公告)号：CN113021480B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110230377.6
申请日：2021-03-02
申请人： 山东芯源微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体膜状扩散源下料切分装置，属于生产成型设备技术领域，包括支架以及设置在支架上的定位柱，压杆通过弹性支架固定在定位尺上，初始状态，下料板卡接在定位柱顶部成凹槽型上，根据定位尺底部的红外感应器感应半导体膜状扩散源到定位尺底部的距离，液压缸可实现升降，防止压块破损半导体膜状扩散源，工作人将手动将下料板抬起，下料板的上部在铰接架的作用下，旋转运动，定位尺顶尖在定位弧板上，压杆通过弹性支架压紧压料弧板上的半导体膜状扩散源，工作人员通过刀具沿着定位尺分切，使得分切误差减少，稳定性较高，提高了分切效率。
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