本发明属于高压整流用芯片生产技术领域，具体涉及一种高压和超高压芯片扩散更宽的耐压区的方法，包括以下步骤：步骤一选择含有高浓度硼和高浓度铝的硼铝膜状扩散源；步骤二叠片和装入扩散舟；步骤三烧源，将装有叠片的扩散舟在扩散炉炉温低于200℃时装炉并升温到烧源温度烧源；步骤四扩散过程，烧源后扩散炉按预设的升温斜率升温到预设的扩散温度后保温；步骤五扩散后分片；与现有技术相比，(1)本发明实现了扩散处理后的硅片中具有更窄的P+层和更宽的P‑层，从而使得耐压区宽度更大，扩散处理后的硅片耐压值更高；(2)烧源步骤的扩散舟进炉温度不高于200℃，避免过高的温度下膜状源分解剧烈产生燃烧。