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公开(公告)号：CN1214380C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN99123620.3
申请日：1999-10-29
IPC: G11B11/00
CPC classification number: G11B11/10591 , G11B11/10515 , G11B11/10582 , G11B11/10584
Abstract: 本发明公开了一种具有良好再现性的磁光记录媒体。其中，由一记录层、一中间层和一再现层共同构成一种磁性膜层叠结构。通过将所述各层的饱和磁化强度和居里温度设定在特定范围内，可以从所述磁光记录媒体中再现以不低于1.0GB的高密度记录在3.5英寸直径的单面上的数据。
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公开(公告)号：CN1253357A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99123620.3
申请日：1999-10-29
IPC: G11B11/00
CPC classification number: G11B11/10591 , G11B11/10515 , G11B11/10582 , G11B11/10584
Abstract: 本发明公开了一种具有良好再现性的磁光记录媒体。其中,由一记录层、一中间层和一再现层共同构成一种磁性膜层叠结构。通过将所述各层的饱和磁化强度和居里温度设定在特定范围内,可以从所述磁光记录媒体中再现以不低于1.0GB的高密度记录在3.5英寸直径的单面上的数据。
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公开(公告)号：CN1692419A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100557.2
申请日：2003-10-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/10 , G11B11/105
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/02 , G11B5/314 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及具有记录层的磁光记录介质，该介质在记录层侧被记录光照射并被施加磁场，其中通过记录光的照射和磁场的施加，数据被记录到记录层上。本发明的目的是提供一种磁光记录介质，它能够在读出期间用高功率激光束照射而不增大噪声，并且其记录层在记录期间可以用中等功率激光束充分加热以减小其矫顽磁力。该磁光记录介质包括衬底；形成在衬底上并具有预定的高导热率第一散热层；形成在第一散热层上并具有比所述高导热率低的低导热率的分隔层；形成在分隔层上并具有比所述低导热率高但比所述高导热率低的预定导热率的第二散热层；和记录层，该记录层形成在散热层的上方，并且数据通过记录光的照射和磁场的施加被记录到所述记录层上。
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公开(公告)号：CN1582474A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN01823910.2
申请日：2001-12-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B11/1058 , G11B11/10589
Abstract: 本发明是一种磁光记录介质，其特征在于至少包含在基底上依序形成的软磁层、保护层、上有伺服图案的树脂层、反射膜、下部电介质材料膜、记录膜、上部电介质材料膜和覆盖层。
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公开(公告)号：CN1291407C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN01823910.2
申请日：2001-12-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10584 , G11B11/1058 , G11B11/10589
Abstract: 本发明是一种磁光记录介质，其特征在于至少包含在基底上依序形成的软磁层、保护层、上有伺服图案的树脂层、反射膜、下部电介质材料膜、记录膜、上部电介质材料膜和覆盖层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100334638C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410032751.8
申请日：2004-04-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B5/66
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/66 , G11B5/7325 , G11B5/74 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0021 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明所公开的记录介质包括：衬底；记录层，其具有用于记录信息的垂直磁各向异性；基础层，其位于所述衬底与所述记录层之间；初始层，其表面张力大于所述基础层的表面张力，并被保持与所述基础层的记录层侧表面相接触；以及功能性层，其被保持与所述初始层的记录层侧表面相接触。
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公开(公告)号：CN1604214A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410032751.8
申请日：2004-04-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B5/66
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/66 , G11B5/7325 , G11B5/74 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0021 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明所公开的记录介质包括：衬底；记录层，其具有用于记录信息的垂直磁各向异性；基础层，其位于所述衬底与所述记录层之间；初始层，其表面张力大于所述基础层的表面张力，并被保持与所述基础层的记录层侧表面相接触；以及功能性层，其被保持与所述初始层的记录层侧表面相接触。
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公开(公告)号：CN1462436A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN01816046.8
申请日：2001-10-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10515
Abstract: 本发明涉及一种磁光记录介质及其再现方法，所述磁光记录介质能够抵抗交扰和实现能够进行小节距应用的高密度记录。磁光记录介质包括一种磁性4层结构，一个掩模层、一个再现层、一个中间层及一个记录层，其特征在于，再现层和记录层在室温下具有在层叠方向上延伸的易磁化轴，掩模层和中间层每个在室温下具有在平面内方向上延伸的一个易磁化轴，当掩模层、再现层、中间层及记录层的居里温度分别是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，满足关系Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1，并且中间层是一个稀土为主的磁性层。
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公开(公告)号：CN100468542C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN02828324.4
申请日：2002-02-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10515 , G11B11/10584 , G11B11/10593
Abstract: 本发明提供了包括按顺序层叠的记录层、中间层和再现层的磁光记录介质。记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息。再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成。上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。
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公开(公告)号：CN100369143C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN01816046.8
申请日：2001-10-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10515
Abstract: 本发明涉及一种磁光记录介质及其再现方法，所述磁光记录介质能够抵抗交扰和实现能够进行小节距应用的高密度记录。磁光记录介质包括一种磁性4层结构，一个掩模层、一个再现层、一个中间层及一个记录层，其特征在于，再现层和记录层在室温下具有在层叠方向上延伸的易磁化轴，掩模层和中间层每个在室温下具有在平面内方向上延伸的一个易磁化轴，当掩模层、再现层、中间层及记录层的居里温度分别是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，满足关系Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1，并且中间层是一个稀土为主的磁性层。
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