公开(公告)号：CN1462436A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN01816046.8

申请日：2001-10-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 田中努 ,  三原基伸 ,  玉野井健

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10593 ,  G11B11/10515

Abstract: 本发明涉及一种磁光记录介质及其再现方法，所述磁光记录介质能够抵抗交扰和实现能够进行小节距应用的高密度记录。磁光记录介质包括一种磁性4层结构，一个掩模层、一个再现层、一个中间层及一个记录层，其特征在于，再现层和记录层在室温下具有在层叠方向上延伸的易磁化轴，掩模层和中间层每个在室温下具有在平面内方向上延伸的一个易磁化轴，当掩模层、再现层、中间层及记录层的居里温度分别是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，满足关系Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1，并且中间层是一个稀土为主的磁性层。

公开(公告)号：CN100468542C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN02828324.4

申请日：2002-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 栗田亮 ,  玉野井健 ,  伊藤祥游 ,  三原基伸

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10515 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10593

Abstract: 本发明提供了包括按顺序层叠的记录层、中间层和再现层的磁光记录介质。记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息。再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成。上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。

公开(公告)号：CN100369143C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN01816046.8

申请日：2001-10-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 田中努 ,  三原基伸 ,  玉野井健

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10593 ,  G11B11/10515

Abstract: 本发明涉及一种磁光记录介质及其再现方法，所述磁光记录介质能够抵抗交扰和实现能够进行小节距应用的高密度记录。磁光记录介质包括一种磁性4层结构，一个掩模层、一个再现层、一个中间层及一个记录层，其特征在于，再现层和记录层在室温下具有在层叠方向上延伸的易磁化轴，掩模层和中间层每个在室温下具有在平面内方向上延伸的一个易磁化轴，当掩模层、再现层、中间层及记录层的居里温度分别是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4，满足关系Tc3＜Tc2、Tc3＜Tc4及Tc3＜Tc1，并且中间层是一个稀土为主的磁性层。

公开(公告)号：CN1620694A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02828324.4

申请日：2002-02-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 栗田亮 ,  玉野井健 ,  伊藤祥游 ,  三原基伸

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10515 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10593

Abstract: 本发明提供了包括按顺序层叠的记录层、中间层和再现层的磁光记录介质。记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息。再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成。上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。