公开(公告)号：CN101326623A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580052252.8

申请日：2005-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 新城嘉昭 ,  下别府佑三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩

IPC: H01L21/673 ,  B65D85/86

CPC classification number: H01L21/6732 ,  Y10S206/832

Abstract: 一种半导体晶片容置盒(10A)，由多个支承构件(12)和弹性构件(14)构成，所述多个支承构件(12)与各半导体晶片(1)的第一主面的外周端部附近的区域相接触，并支承该半导体晶片(1)，所述弹性构件(14)弹性支承在上述支承构件之间，并且通过弹性变形与各半导体晶片(1)的第二主面相接触，并将该半导体晶片(1)按压在上述支承构件(12)上。

公开(公告)号：CN101026101A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610100026.9

申请日：2006-06-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 新城嘉昭 ,  下别府佑三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/00

CPC classification number: B32B37/04 ,  B29C63/0056 ,  B29C65/16 ,  B29C65/1635 ,  B29C65/1658 ,  B29C65/7891 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/225 ,  B29C66/232 ,  B29C66/45 ,  B29C66/71 ,  B29C66/723 ,  B29C66/7392 ,  B29C66/744 ,  B29C66/81267 ,  B29C66/82423 ,  B29C66/8266 ,  B29C66/8322 ,  B29C66/8362 ,  B32B38/0004 ,  B32B2037/1072 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/27 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  Y10T156/1052 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  B29K2079/08 ,  B29K2063/00 ,  B29K2067/003

Abstract: 本发明提供膜接合方法、膜接合装置以及半导体器件制造方法。该膜接合方法能够在不引起任何断裂的情况下接合芯片贴装膜。利用膜设置辊和膜接合辊朝着接合有表面保护胶带的晶片按压芯片贴装膜，并向辊之间的区域照射具有预定形状的激光束。在旋转移动膜设置辊和膜接合辊的同时，随着它们的移动在晶片上扫描激光束。通过跟随膜设置辊的膜接合辊，朝着晶片按压被激光束熔融的芯片贴装膜部分，以将芯片贴装膜接合到晶片。由于利用激光束来熔融芯片贴装膜从而将芯片贴装膜接合到晶片上，因此即使晶片较薄并且强度减小，也能使晶片避免例如由表面保护胶带的热收缩带来的损坏。

公开(公告)号：CN101017836A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610079895.8

申请日：2006-05-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉本和浩 ,  下别府佑三 ,  手代木和雄 ,  新城嘉昭

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0203 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底，其主表面上形成光接收元件区；突起部，其设置在该半导体衬底的主表面上的光接收元件区的周围；粘合材料层，其设置在该半导体衬底的主表面上的突起部的外围；以及透明板，其由所述突起部支撑，并通过该粘合材料层固定在该光接收元件区的上方。

公开(公告)号：CN101026084A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610091594.7

申请日：2006-06-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 手代木和雄 ,  下别府佑三 ,  吉本和浩 ,  新城嘉昭

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3128 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：(1)设置透明部件的步骤，在形成有多个半导体元件的半导体衬底的主表面上方设置透明部件；(2)第一分割步骤，与所述半导体元件的指定区域相应地分割该透明部件；(3)第二分割步骤，与所述半导体元件的外部结构相应地分割该透明部件；以及(4)分割步骤，与该透明部件的分割位置相应地将该半导体衬底分割为所述多个半导体元件。根据本发明，能够以简单的过程制造半导体器件，而不会降低半导体器件质量或加工能力。