公开(公告)号：CN106356409A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610394268.7

申请日：2016-06-06

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小川恵理 ,  中川明夫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体装置，实现二极管元件的反向恢复耐受量的提高。半导体装置具备第一导电型的漂移层(1)；第二导电型的阳极区(3)，其设置于漂移层(1)的上部；绝缘膜(10)，其设置于漂移层(10)的接触孔(11)来与阳极区(3)进行欧姆连接的欧姆连接部分(12a)；以及肖特基电极(8)，其与阳极区(3)的周边部进行肖特基接合。(1)之上；阳极电极(12)，其具有穿过贯通绝缘膜

公开(公告)号：CN106356409B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201610394268.7

申请日：2016-06-06

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小川恵理 ,  中川明夫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，实现二极管元件的反向恢复耐受量的提高。半导体装置具备第一导电型的漂移层(1)；第二导电型的阳极区(3)，其设置于漂移层(1)的上部；绝缘膜(10)，其设置于漂移层(1)之上；阳极电极(12)，其具有穿过贯通绝缘膜(10)的接触孔(11)来与阳极区(3)进行欧姆连接的欧姆连接部分(12a)；以及肖特基电极(8)，其与阳极区(3)的周边部进行肖特基接合。

公开(公告)号：CN104106139A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380008425.0

申请日：2013-04-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  武井学 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的非穿通(NPT)型IGBT(10)构成为：在n-半导体基板的背面设置有由p+集电极层(8)和集电极电极(9)形成的背面结构，在关断时从p基极区域(2)与n-漂移层(1)之间的pn结伸出的耗尽层不与p+集电极层(8)相接触。在该NPT型IGBT(10)中，关断过程中的从p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(第1pn结)(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如在0.3μm以下的区域的空穴电流的载流子浓度、与p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如为15μm的区域的累积载流子浓度之间的浓度差为30％～70％左右。由此，能够以低成本实现高速且低损耗的开关动作。