公开(公告)号：CN106356409A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610394268.7

申请日：2016-06-06

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小川恵理 ,  中川明夫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体装置，实现二极管元件的反向恢复耐受量的提高。半导体装置具备第一导电型的漂移层(1)；第二导电型的阳极区(3)，其设置于漂移层(1)的上部；绝缘膜(10)，其设置于漂移层(10)的接触孔(11)来与阳极区(3)进行欧姆连接的欧姆连接部分(12a)；以及肖特基电极(8)，其与阳极区(3)的周边部进行肖特基接合。(1)之上；阳极电极(12)，其具有穿过贯通绝缘膜

公开(公告)号：CN106356409B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201610394268.7

申请日：2016-06-06

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小川恵理 ,  中川明夫

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，实现二极管元件的反向恢复耐受量的提高。半导体装置具备第一导电型的漂移层(1)；第二导电型的阳极区(3)，其设置于漂移层(1)的上部；绝缘膜(10)，其设置于漂移层(1)之上；阳极电极(12)，其具有穿过贯通绝缘膜(10)的接触孔(11)来与阳极区(3)进行欧姆连接的欧姆连接部分(12a)；以及肖特基电极(8)，其与阳极区(3)的周边部进行肖特基接合。