公开(公告)号：CN102034856A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010507863.X

申请日：2010-09-28

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 吉川功 ,  窪内源宜

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及半导体器件。根据本发明的一种反向阻断IGBT包括：耐反向击穿区240；在耐反向击穿区240中形成的p型场限制环(外FLR)41；连接至外FLR 41的场电极(外FP)42；外FP 42包括与最接近有源区的外FLR 41接触的第一外FP 43和与其他外FLR 41接触的第二外FP 44；第一外FP 43具有向有源区突出的有源区侧边缘部分；以及第二外FP 44具有向边缘区域突出的边缘区域侧边缘部分。根据本发明的该反向阻断IGBT便于提高其耐电压并减小其面积。

公开(公告)号：CN102163551A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110033243.1

申请日：2011-01-24

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  窪内源宜 ,  寺西秀明 ,  清水秀雄

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供反向阻断型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其中当制造具有沿着使用各向异性蚀刻形成的V形凹槽的锥形面所形成的分离层的反向阻断型IGBT时，该方法可确保高度可靠的耐反压性，且当反偏压时抑制漏电流。当用闪光灯辐照来用于向第二导电型分离层和第二导电型集电层注入离子之后的闪光灯退火从而形成第二导电型集电层和第二导电型分离层时，辐射能量的最强部分聚焦在从锥形侧边缘表面的上部到中心部的深度位置上。