公开(公告)号：CN102163551A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110033243.1

申请日：2011-01-24

Applicant: 富士电机控股株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  窪内源宜 ,  寺西秀明 ,  清水秀雄

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供反向阻断型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其中当制造具有沿着使用各向异性蚀刻形成的V形凹槽的锥形面所形成的分离层的反向阻断型IGBT时，该方法可确保高度可靠的耐反压性，且当反偏压时抑制漏电流。当用闪光灯辐照来用于向第二导电型分离层和第二导电型集电层注入离子之后的闪光灯退火从而形成第二导电型集电层和第二导电型分离层时，辐射能量的最强部分聚焦在从锥形侧边缘表面的上部到中心部的深度位置上。