一种AC-LED集成芯片
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104994634A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510368142.8

    申请日:2015-06-29

    Abstract: 一种AC-LED集成芯片,包括:衬底、LED芯片、散热金属柱、金属电极和桥式整流电路;其特征在于,所述的LED芯片与衬底利用共晶金属通过倒装焊工艺集成在一起,每个LED芯片的p接触电极则通过散热金属柱与衬底实现散热连接;所述的桥式整流电路的输入端通过金属电极外接交流电源,其输出端与所述LED芯片实现电连接。本发明具有硅基肖特基二极管性能稳定以及芯片单位面积发光效率高等优点,实现了LED芯片在高压交流条件下的使用,更有利于LED照明在家用领域的普及应用。

    一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层结构

    公开(公告)号:CN104752578A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310727247.9

    申请日:2013-12-25

    CPC classification number: H01L33/48 H01L33/62 H01L33/64

    Abstract: 一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层结构,该金属层包括与AC-LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区;上下导电区域的宽度不小于50微米;上下导电区域上蒸镀有Cr、In、Ag、Au、Sn中至少两种金属,每层膜厚10~5000nm,形成多层金属结构。本发明能够保障AC-LED芯片结构金属层与基板紧紧键合在一起,避免芯片与基板键合不牢靠、接触不充分、倒装焊时出现虚焊等问题,还能够保证基板与芯片是在一个相对低的温度环境下进行倒装焊,保证芯片与基板的电路及结构不受损害,保障倒装焊芯片的稳定工作及倒装焊的成功率、AC-LED的成品率;另外,还能提高AC-LED芯片的出光效率、散热性能等,提高AC-LED的电性能和光性能。

    一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法

    公开(公告)号:CN104752594B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201310728541.1

    申请日:2013-12-25

    Abstract: 一种用于AC‑LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法,该金属层包括与AC‑LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区;上下导电区域的宽度不小于50微米;上下导电区域上蒸镀有Cr、In、Ag、Au、Sn中至少两种金属,每层膜厚10~5000nm,形成多层金属结构。本发明能保障AC‑LED芯片结构金属层与基板紧紧键合在一起,避免芯片与基板键合不牢靠、接触不充分、倒装焊时出现虚焊等问题,且,能够保证基板与芯片在一个相对低的温度环境下进行倒装焊,保证芯片与基板的电路及结构不受损害,保障倒装焊芯片稳定工作及倒装焊的成功率、AC‑LED成品率;另外,还提高AC‑LED芯片的出光效率、散热性能,提高了AC‑LED的电性能和光性能。

    一种解决AC-LED频闪的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104754794A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310728480.9

    申请日:2013-12-25

    Abstract: 一种解决AC-LED频闪的方法,AC-LED主要由若干单颗LED组成一个阵列,并直接连接交流电源或通过一整流电路连接至交流电源;在LED封装时涂一层长余辉荧光粉,长余辉荧光粉具有储能作用;当激发光停止或激发光变暗时,长余辉荧光粉储存的光能会慢慢释放,当储存光能释放了一部分后,周期性激发光照又会将荧光粉激发以供下一次能量释放,这样就增加单个周期内的发光时间,也完全消除无光时间。本发明方法,可以在不改变原有LED结构的基础上,从根本上解决AC-LED的频闪问题,从而大大推进AC-LED在各个领域的应用。

    一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法

    公开(公告)号:CN104752594A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310728541.1

    申请日:2013-12-25

    Abstract: 一种用于AC-LED芯片结构倒装焊金属层的制作方法,该金属层包括与AC-LED芯片结构中整流电路的正、负电极相对应连接的上下导电区域及上下导电区域之间非导电的散热区;上下导电区域的宽度不小于50微米;上下导电区域上蒸镀有Cr、In、Ag、Au、Sn中至少两种金属,每层膜厚10~5000nm,形成多层金属结构。本发明能保障AC-LED芯片结构金属层与基板紧紧键合在一起,避免芯片与基板键合不牢靠、接触不充分、倒装焊时出现虚焊等问题,且,能够保证基板与芯片在一个相对低的温度环境下进行倒装焊,保证芯片与基板的电路及结构不受损害,保障倒装焊芯片稳定工作及倒装焊的成功率、AC-LED成品率;另外,还提高AC-LED芯片的出光效率、散热性能,提高了AC-LED的电性能和光性能。

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