公开(公告)号：CN119050197A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411076981.8

申请日：2024-08-07

Applicant: 安徽工程大学

Inventor： 钱银银 ,  王凡 ,  王佳茵 ,  朱亚婷 ,  许瑞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种FTO衬底上生长的纳米棒阵列‑纳米线网状异质结结构材料及其制备方法和应用，本发明首先硫源和镉源在聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜的高温高压下，微小的CdS晶核在FTO衬底上迅速产生，同时在表面活性剂谷胱甘肽的作用下，向单一方向生长垂直结构的CdS纳米棒阵列，再经过硫源、铋源乙二醇在聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜的高温高压下的生长负载，得到FTO衬底上生长CdS‑Bi2S3纳米棒阵列‑纳米线网状异质结结构。与现有技术相比，本发明具有特殊的垂直结构，有利于载流子迁移，同时特殊的网状异质结结构，大大提高了光吸收效率，并且抑制载流子复合，扩宽了光谱响应范围。

公开(公告)号：CN115285945A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210933504.3

申请日：2022-08-04

Applicant: 安徽工程大学

Inventor： 钱银银 ,  李存鑫 ,  戴聂聂 ,  许瑞 ,  孙英智

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明提供了一种二碲化锑银纳米晶及其无膦液相合成方法和应用，以银源、锑源和碲源为原料，在由有机胺为反应介质的溶液中加热到100～130℃，制备混合液；将混合液升温至170～195℃，加入溶解在正十二硫醇中的碲前驱源进行反应，此过程无需有机膦的参与；反应结束后，洗涤、干燥；即可制备出银锑碲纳米晶。目前仅有报道的液相合成方法依赖于价格较高、空气中不稳定且容易造成水体污染的烷基膦，不利于实现大规模生产。本发明中的液相合成方法工艺简单、反应能耗低以及可重复性好，同时避免了反应过程中烷基膦的使用，且合成的AgSbTe2纳米晶在光电探测领域具有很大的应用潜力。