公开(公告)号：CN119050197A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411076981.8

申请日：2024-08-07

Applicant: 安徽工程大学

Inventor： 钱银银 ,  王凡 ,  王佳茵 ,  朱亚婷 ,  许瑞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种FTO衬底上生长的纳米棒阵列‑纳米线网状异质结结构材料及其制备方法和应用，本发明首先硫源和镉源在聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜的高温高压下，微小的CdS晶核在FTO衬底上迅速产生，同时在表面活性剂谷胱甘肽的作用下，向单一方向生长垂直结构的CdS纳米棒阵列，再经过硫源、铋源乙二醇在聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜的高温高压下的生长负载，得到FTO衬底上生长CdS‑Bi2S3纳米棒阵列‑纳米线网状异质结结构。与现有技术相比，本发明具有特殊的垂直结构，有利于载流子迁移，同时特殊的网状异质结结构，大大提高了光吸收效率，并且抑制载流子复合，扩宽了光谱响应范围。