公开(公告)号：CN119980192A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510177746.8

申请日：2025-02-18

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 万志鑫 ,  徐格 ,  余威 ,  张世宏

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23F15/00

Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域，具体涉及一种采用ALD制备TaN/Ta2O5复合薄膜的方法及其应用，包括以下步骤：基材预处理：选择基材，对基材进行抛光研磨，超声清洗后吹干；将预处理的基材放入ALD腔室，抽真空后，通过复合交替沉积工艺制备TaN/Ta2O5双层薄膜。在TaN薄膜表面生长一层致密的Ta2O5膜，覆盖在表面，帮助其抵抗腐蚀介质侵蚀，有效改善TaN的耐腐蚀性能，进一步提高TaN薄膜在腐蚀介质中的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN118600421A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410672234.4

申请日：2024-05-28

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 张林 ,  王雅倩 ,  郑军 ,  张世宏 ,  万志鑫

IPC: C23C28/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  G01K7/02 ,  G01L1/00 ,  G01L9/00

Abstract: 本发明涉及功能薄膜制备技术领域，具体涉及一种薄膜传感器用多层复合绝缘薄膜、制备方法及其应用，该多层复合绝缘薄膜自下而上依次包括金属基体、Cr过渡层、中频磁控溅射Al2O3绝缘层、原子层沉积Al2O3绝缘层、中频磁控溅射Al2O3绝缘层。通过Cr过渡层提高了膜基结合强度，采用磁控溅射与原子层沉积(ALD)技术相复合制备了多层Al2O3薄膜，原子层沉积技术制备的Al2O3薄膜生长致密，填充了磁控溅射沉积的Al2O3薄膜中微孔等组织结构缺陷，从而达到绝缘封孔目的，“三明治”结构Al2O3薄膜有效地阻断了传感层与金属基体之间的电子传导，同时采用合适的刻蚀清洗工艺和金属过渡层，各层薄膜间具有良好的结合强度，可应用于金属表面薄膜传感器制备。