单片集成MEMS压力和加速度复合传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116462153A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202310610556.1

    申请日:2023-05-29

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 一种单片集成MEMS压力和加速度复合传感器及其制备方法,复合传感器包括通过硅基垂直互连集成的MEMS压力传感器和MEMS加速度传感器,二者分别布置在硅基相背的工作面上;MEMS压力传感器为压阻式传感器,包括一个多翼型敏感膜,多翼型敏感膜形成于所述硅基的上表面,多翼型敏感膜的表面形成有半岛结构、孤岛结构及中央凸台结构,半岛结构的上表面均设置一个第一压阻器件;MEMS加速度传感器包括设置于所述硅基下表面的多悬臂梁结构,多悬臂梁结构包括多个悬臂梁和一个中央质量块;悬臂梁上设置第二压阻器件。本发明不仅能够解决现有微机械复合压力传感器灵敏度低、集成度低的问题,而且制备工艺更合理,通用性更强。

    基于边沿传输延迟的存算单元电路及乘累加计算电路

    公开(公告)号:CN115964016A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202310126689.1

    申请日:2023-02-07

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域,更具体的,涉及基于边沿传输延迟的存算单元电路,和采用该种单元电路构建的多比特时域的乘累加计算电路。本发明的存算单元电路包括两个SRAM存储部、延迟计算单元、位线联通开关。其中,两个SRAM存储部用于存储计算时需要的权重,并提供2bit权重作为乘数。延迟计算单元采用了由四个局部延时单元,每个局部延时单元可以计算2bit权重乘2bit输入,使延迟计算单元可以计算2bit权重乘8bit输入,以提高计算效率。此外,在局部延时单元中添加用于规范边沿信号的反相器,提高单元延迟和时域累加的准确性。

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