公开(公告)号：CN117894346A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410064956.1

申请日：2024-01-17

申请人： 安徽大学

发明人： 赵强 ,  彭雨婷 ,  刘天翔 ,  徐秋虹 ,  彭太锌 ,  郝礼才 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC分类号： G11C7/10 ,  B64D47/00

摘要： 本申请涉及一种双节点容忍的抗辐射锁存器电路、存储器和航空器，其中，该双节点容忍的抗辐射锁存器电路包括：存储模块；存储模块包括八个NMOS管和八个PMOS管。其中，第三存储节点通过第一NMOS管、第三NMOS管包围形成N极性加固结构，第四存储节点通过第二NMOS管、第四NMOS管形成N极性加固结构，减少了非敏感节点的数目；同时，第五存储节点通过第一PMOS管、第七PMOS管包围形成P极性加固结构，第六存储节点通过第二NMOS管、第八NMOS管包围形成P极性加固结构，也同样减少了非敏感节点的数目。因此，本发明提供的抗辐射锁存器电路具有双节点容忍能力，在一定程度上能够抵抗宇宙辐射环境影响，解决了现有航空器中的存储电路容易受到宇宙辐射环境影响的问题。

公开(公告)号：CN109904319A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910083459.5

申请日：2019-01-29

申请人： 安徽大学

发明人： 曾玮 ,  薛瑞 ,  吴冉运 ,  彭雨婷 ,  梁栋 ,  徐超 ,  黄林生

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/48

摘要： 本发明公开一种钙钛矿层的制备方法，包括以下步骤：1)配置第一前体溶液，将溶液旋涂于基底上形成湿膜，退火冷却；2)配置第二前体溶液，在冷却后基底湿膜上采用多滴涂层的方法，滴加第二前体溶液，进行连续热处理，得到钙钛矿层；还提供了太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)导电玻璃基底清洗，在基底上制备电子传输层；2)在电子传输层上制备钙钛矿层；3)在钙钛矿层上制备空穴传输层以及制备金属电极。本发明提供的方法增加了钙钛矿晶体尺寸，晶体直径主要分布在(1.4-2.8)μm，最大可达5μm，由钙钛矿晶体形成的钙钛矿层表面平整无针孔，从而能够提高基于此钙钛矿晶体的太阳能电池的功率转化效率(PCE)和长期稳定性。

公开(公告)号：CN109904319B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201910083459.5

申请日：2019-01-29

申请人： 安徽大学

发明人： 曾玮 ,  薛瑞 ,  吴冉运 ,  彭雨婷 ,  梁栋 ,  徐超 ,  黄林生

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/48

摘要： 本发明公开一种钙钛矿层的制备方法，包括以下步骤：1)配置第一前体溶液，将溶液旋涂于基底上形成湿膜，退火冷却；2)配置第二前体溶液，在冷却后基底湿膜上采用多滴涂层的方法，滴加第二前体溶液，进行连续热处理，得到钙钛矿层；还提供了太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)导电玻璃基底清洗，在基底上制备电子传输层；2)在电子传输层上制备钙钛矿层；3)在钙钛矿层上制备空穴传输层以及制备金属电极。本发明提供的方法增加了钙钛矿晶体尺寸，晶体直径主要分布在(1.4‑2.8)μm，最大可达5μm，由钙钛矿晶体形成的钙钛矿层表面平整无针孔，从而能够提高基于此钙钛矿晶体的太阳能电池的功率转化效率(PCE)和长期稳定性。