公开(公告)号：CN117894346A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410064956.1

申请日：2024-01-17

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  彭雨婷 ,  刘天翔 ,  徐秋虹 ,  彭太锌 ,  郝礼才 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G11C7/10 ,  B64D47/00

Abstract: 本申请涉及一种双节点容忍的抗辐射锁存器电路、存储器和航空器，其中，该双节点容忍的抗辐射锁存器电路包括：存储模块；存储模块包括八个NMOS管和八个PMOS管。其中，第三存储节点通过第一NMOS管、第三NMOS管包围形成N极性加固结构，第四存储节点通过第二NMOS管、第四NMOS管形成N极性加固结构，减少了非敏感节点的数目；同时，第五存储节点通过第一PMOS管、第七PMOS管包围形成P极性加固结构，第六存储节点通过第二NMOS管、第八NMOS管包围形成P极性加固结构，也同样减少了非敏感节点的数目。因此，本发明提供的抗辐射锁存器电路具有双节点容忍能力，在一定程度上能够抵抗宇宙辐射环境影响，解决了现有航空器中的存储电路容易受到宇宙辐射环境影响的问题。