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公开(公告)号：CN113555472A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110808966.8
申请日：2021-07-16
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0216
摘要： 本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
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公开(公告)号：CN113506842A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110788210.1
申请日：2021-07-09
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
摘要： 本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层的两侧均分别形成掺杂半导体层；对所述半导体衬底层至少一侧的所述掺杂半导体层进行等离子体处理，以钝化所述掺杂半导体层的晶界缺陷。本发明通过对半导体衬底层至少一侧的掺杂半导体层进行等离子体处理，钝化掺杂半导体层的晶界缺陷，用以改善膜层的界面态密度，掺杂半导体层晶界缺陷较少、结晶率高，异质结电池的光电转换效率提高。
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公开(公告)号：CN113555472B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110808966.8
申请日：2021-07-16
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0216
摘要： 本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
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公开(公告)号：CN114613882A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210250868.1
申请日：2022-03-11
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
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公开(公告)号：CN113506842B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110788210.1
申请日：2021-07-09
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
摘要： 本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层的两侧均分别形成掺杂半导体层；对所述半导体衬底层至少一侧的所述掺杂半导体层进行等离子体处理，以钝化所述掺杂半导体层的晶界缺陷。本发明通过对半导体衬底层至少一侧的掺杂半导体层进行等离子体处理，钝化掺杂半导体层的晶界缺陷，用以改善膜层的界面态密度，掺杂半导体层晶界缺陷较少、结晶率高，异质结电池的光电转换效率提高。
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公开(公告)号：CN113471312A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110767660.2
申请日：2021-07-07
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供一种异质结电池及其制备方法，异质结电池包括：半导体衬底层；本征半导体复合层，所述本征半导体复合层位于所述半导体衬底层的至少一侧表面，所述本征半导体复合层包括：底层本征层；位于所述底层本征层背向所述半导体衬底层一侧表面的宽带隙本征层，所述宽带隙本征层的带隙大于所述底层本征层的带隙。宽带隙本征层的带隙较大，当太阳光照射异质结电池时，能量小于宽带隙本征层的带隙的光子不能被寄生吸收，减小了本征半导体复合层对太阳光的寄生吸收，从而使得半导体衬底层对太阳光的吸收增多，半导体衬底层产生的光生载流子增多，进而能提高异质结电池的短路电流，能提高异质结电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN114613882B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210250868.1
申请日：2022-03-11
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
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公开(公告)号：CN113471312B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110767660.2
申请日：2021-07-07
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供一种异质结电池及其制备方法，异质结电池包括：半导体衬底层；本征半导体复合层，所述本征半导体复合层位于所述半导体衬底层的至少一侧表面，所述本征半导体复合层包括：底层本征层；位于所述底层本征层背向所述半导体衬底层一侧表面的宽带隙本征层，所述宽带隙本征层的带隙大于所述底层本征层的带隙。宽带隙本征层的带隙较大，当太阳光照射异质结电池时，能量小于宽带隙本征层的带隙的光子不能被寄生吸收，减小了本征半导体复合层对太阳光的寄生吸收，从而使得半导体衬底层对太阳光的吸收增多，半导体衬底层产生的光生载流子增多，进而能提高异质结电池的短路电流，能提高异质结电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN113594272A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110864812.0
申请日：2021-07-29
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层一侧的第一透明导电复合膜；第一透明导电复合膜包括第一透明导电膜和位于第一透明导电膜背向半导体衬底层一侧表面的纳米线导电膜；位于第一透明导电复合膜背向半导体衬底层一侧表面的背栅电极。纳米线导电膜的横向电阻率大于第一透明导电膜的横向电阻率。本发明的异质结太阳能电池，采用透明导电复合膜，只需较少的背栅电极的数目，以减少银的消耗量且能够保持异质结太阳能电池具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN113451115A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110737806.9
申请日：2021-06-30
申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司
摘要： 本发明属于太阳能电池制造技术领域，提供一种太阳能电池的清洗方法，包括如下步骤：在进行制绒处理之后，对半导体衬底层的表面进行清洗处理；其中，所述清洗处理包括：提供清洗槽，清洗槽中具有挥发性清洗液，挥发性清洗液中包括挥发性清洗物质；在清洗槽中采用慢提拉清洗工艺对半导体衬底层的表面进行清洗。采用慢提拉清洗工艺和挥发性清洗液使得半导体衬底层表面残留的挥发性清洗液快速的挥发到环境中，半导体衬底层的表面较干燥，因此不需要再对半导体衬底层进行预脱水、烘干等工艺，半导体衬底层表面的洁净度较高，同时减少太阳能电池的制备工序，节省太阳能电池的制备时间，提高产能和制备效率。
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