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公开(公告)号：CN113314441B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110592852.4
申请日：2021-05-28
申请人： 安徽光智科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
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公开(公告)号：CN114663967A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210072914.3
申请日：2022-01-21
申请人： 安徽光智科技有限公司
IPC分类号： G06V40/18 , G06V10/147 , B08B5/04
摘要： 本发明公开了一种可见光虹膜采集系统，包括虹膜采集装置、处理箱、两个第一导管、虹膜检测罩、两个第二导管，密封罩、安装板及控制系统。本发明通过在安装板上设置复位弹簧，在虹膜检测罩上设置清洁孔，以及在采集系统上设置收纳盒，使得该采集系统在实际使用的过程中可以自动对虹膜采集装置表面存留的皮屑进行初步处理，保障了清洁孔对毛屑的处理效果，且后续采用收纳盒中的消毒纸巾对虹膜采集装置继续进行清理，实现对虹膜采集装置与人脸接触部位的消毒效果，降低了因多次使用导致测试人员出现交叉感染的情况，保障了使用该采集系统的安全性，避免出现病菌感染的情况。
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公开(公告)号：CN112635581A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011610771.4
申请日：2020-12-30
申请人： 安徽光智科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 本公开提供了一种红外探测器及其制备方法，制备方法包括：S1，提供衬底，在衬底上生长形成外延层；S2，对外延层通过干法刻蚀工艺进行刻蚀形成探测器台面；S3，根据步骤S2所得结构，对探测器台面的表面腐蚀处理；S4，对腐蚀处理后的探测器台面的表面硫化处理以在探测器台面的表面形成第一钝化层，然后在硫化处理后的探测器台面的表面上沉积介质膜形成第二钝化层；S5，在第一钝化层和第二钝化层上开口以露出探测器台面的表面，在探测器台面的表面上形成第一电极和第二电极；S6，提供读出电路，将第一电极和第二电极与读出电路连接。本公开能抑制红外探测器台面表面漏电并提升台面的整体钝化效果，从而有效提高红外探测器的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113782416B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202111070423.7
申请日：2021-09-13
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞液相外延生长源衬底，包括衬底本体和络合镀层，络合镀层设于衬底本体上，络合镀层与衬底本体之间设有用于液相外延生长碲镉汞的窗口。还公开了碲镉汞液相外延生长源衬底的制备方法以及基于该衬底的碲镉汞液相外延生长方法。本发明的衬底能够有效解决母液与衬底接触前以及碲镉汞薄膜外延生长过程中，温度场不均匀导致界面上各点的降温以及传动衬底材料导热系数不能很好满足温度控制传导需要等问题；且在该衬底上液相外延生长的碲镉汞具有相当好的厚度均匀性、表面平整性、高的单晶性和较低的半峰宽。
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公开(公告)号：CN113846369A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111098380.3
申请日：2021-09-18
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电化学沉积装置，包括：电解池，底座，内卡座，外卡座，驱动件；电解池底部设有通电孔，内壁设有内螺纹；底座设有气泡水平仪和与通电孔相匹配密封的弹性塞，弹性塞内插装有对电极；内卡座设有驱动柱；内卡座底部的下表面设有第一凸环；外卡座的外周面设有与内螺纹相匹配的外螺纹；外卡座设有导电柱，底部的上表面由内向外依次设有进液孔、弹性的导电片和第二凸环；导电片用于放置晶圆；驱动件的驱动端与驱动柱相连接。上述装置在钝化工艺中，驱动件能够通过内卡座和外卡座带动晶圆移动，进而调节晶圆与电解液的距离，相较于手动调节，可控性和稳定性更高；且底座设有气泡水平仪，能够更好的对电解池的水平进行调整。
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公开(公告)号：CN113782416A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111070423.7
申请日：2021-09-13
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞液相外延生长源衬底，包括衬底本体和络合镀层，络合镀层设于衬底本体上，络合镀层与衬底本体之间设有用于液相外延生长碲镉汞的窗口。还公开了碲镉汞液相外延生长源衬底的制备方法以及基于该衬底的碲镉汞液相外延生长方法。本发明的衬底能够有效解决母液与衬底接触前以及碲镉汞薄膜外延生长过程中，温度场不均匀导致界面上各点的降温以及传动衬底材料导热系数不能很好满足温度控制传导需要等问题；且在该衬底上液相外延生长的碲镉汞具有相当好的厚度均匀性、表面平整性、高的单晶性和较低的半峰宽。
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公开(公告)号：CN113314441A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110592852.4
申请日：2021-05-28
申请人： 安徽光智科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种元器件封装设备及其使用方法，元器件封装设备包括：三维位移台；真空装置，真空装置包括设置于三维位移台的工作端的真空吸盘；定位模具，定位模具设置于三维位移台的台面上，定位模具上设置有用于容纳元器件且与元器件间隙配合的元器件槽；加热器，加热器设置于三维位移台的台面上，加热器包括加热架，烧结底座架设于加热架的顶部，烧结底座的顶面为用于融化焊料的焊料放置面；真空罩，真空罩包括筒状模具及设置于筒状模具一端的透明片，透明片上具有抽气孔。通过上述设置，保证了元器件与烧结底座的焊料放置面之间的精确定位，保证了元器件烧结的规整度，提高了烧结后元器件厚度的一致性。
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公开(公告)号：CN114162778A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111493790.8
申请日：2021-12-08
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆级封装结构，包括第一晶圆和通过键合层与第一晶圆连接固定的第二晶圆，形成了容纳MEMS的空腔，其中第一晶圆的底面具有凸起，以使得第一晶圆的底面形成有深腔结构，该凸起与深腔结构通过倾斜侧沿过渡连接，而在凸起、倾斜侧沿以及深腔结构内设置有金属激活层，所述金属激活层在深腔结构内是间断设置的，同时在该金属激活层上设置有吸气剂层、以及间隔设置的第一绝缘层和第二绝缘层。所述键合层位于第一绝缘层上，使得吸气剂层位于空腔内，而第一绝缘层和第二绝缘层之间可以安装有激活电极，通过金属激活层的传导对吸气剂层进行电激活，避免了传统的热激活方式对晶圆器件的不利影响。
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公开(公告)号：CN113772618A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111091412.7
申请日：2021-09-17
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明公开了多孔薄膜吸气剂结构，包括晶圆和薄膜吸气剂，晶圆上表面具有凹槽结构，凹槽结构的内壁均为多孔结构，薄膜吸气剂覆盖多孔结构。还公开了该结构的制备方法，采用干法或湿法刻蚀联合金颗粒辅助刻蚀三维薄膜吸气剂结构，在制备的凹槽结构上制备多孔结构以增大薄膜吸气剂沉积面积及沉积体量，从而有效增加薄膜吸气剂的吸气性能和使用寿命；通过蒸镀‑剥离工艺沉积的金膜在高温快速退火的工艺条件下可在凹槽的侧壁和基底形成分布均匀的金颗粒，利用退火后的金颗粒进行刻蚀工艺，在侧壁刻蚀出均匀分布的多孔结构，进而增大吸气剂薄膜和侧壁、底部衬底的粘附性，避免发生吸气剂脱落、损坏器件等现象。
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公开(公告)号：CN113690150A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110976160.X
申请日：2021-08-24
申请人： 安徽光智科技有限公司
IPC分类号： H01L21/603
摘要： 本发明公开了一种器件倒装焊的方法，将目标器件装架到设备的机械臂上；将目标器件与基座上的电路进行上下铟柱阵列的水平对准；移动真空罩，形成密闭加工腔室；加热所述密闭加工腔室内器件至预设温度，通氮气和甲酸的混合气体达到预定时间，还原锢柱表面氧化层；当铟柱表面氧化层被完全还原，并且铟柱熔化为液态铟球时，开始缓慢降温，降至预设温度区间时停止，在真空环境下保持预设时间，使铟球凝固为固态，以预设的压力压合上下的铟柱，完成压合。通过以冷压焊的工艺过程为整体框架，将部分回流焊工艺与冷压焊框架进行巧妙的兼容，提高器件倒装焊的精度和可靠度。
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