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公开(公告)号：CN115244712A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018650.7
申请日：2021-02-17
Applicant: 学校法人早稻田大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种金刚石场效应晶体管及其制造方法，为了降低界面能级密度而使用氧化硅膜作为具有含C‑Si键的硅终止层的栅极绝缘膜。FET(100A)包括在非掺杂的金刚石层(2A)的表面上形成的氧化硅膜(3A)、以氧化硅膜(3A)为掩模在非掺杂的金刚石层(2A)的表面上形成的非掺杂的金刚石层(4A)、在非掺杂的金刚石层(2A)和氧化硅膜(3A)的界面以及非掺杂的金刚石层(4A)和氧化硅膜(3A)的界面上形成的硅终止层(5A)、以及在氧化硅膜(3A)上形成的栅极(12A)。FET(100A)将氧化硅膜(3A)和在氧化硅膜(3A)上形成的绝缘膜(10A)作为栅极绝缘膜(11A)，将非掺杂的金刚石层(4A)作为源极区域和漏极区域进行动作。
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公开(公告)号：CN104419935A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410421139.3
申请日：2014-08-25
IPC: C23F4/00 , C23C16/44 , H01L21/335 , G01N27/414
CPC classification number: H01L21/042 , C23C16/27 , C23C16/56 , G01N27/4145 , H01L21/3065 , H01L29/66045
Abstract: 本发明的一个实施方式的金刚石薄膜的表面处理方法中，根据需要的金刚石薄膜的表面特性，进行在不在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜的情况下将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第一取代处理、以及一边在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜一边将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第二取代处理中的任意一者的处理。本发明还提供晶体管的制造方法和传感器元件。
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公开(公告)号：CN108780060B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201780013812.1
申请日：2017-03-02
IPC: G01N27/414 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 一种电子部件，其特征在于，具备：场效应晶体管，其构成离子传感器的工作电极；以及驱动电路，其在上述场效应晶体管的源电极与漏电极之间产生电位差，上述场效应晶体管的参比电极电位被固定。
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公开(公告)号：CN104419935B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201410421139.3
申请日：2014-08-25
IPC: C23F4/00 , C23C16/44 , H01L21/335 , G01N27/414
Abstract: 本发明的一个实施方式的金刚石薄膜的表面处理方法中，根据需要的金刚石薄膜的表面特性，进行在不在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜的情况下将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第一取代处理、以及一边在金刚石薄膜的表面上沉积氟碳化合物的沉积膜一边将金刚石薄膜的氢终端的一部分取代为氟终端的第二取代处理中的任意一者的处理。本发明还提供晶体管的制造方法和传感器元件。
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公开(公告)号：CN108780060A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780013812.1
申请日：2017-03-02
IPC: G01N27/414 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 一种电子部件，其特征在于，具备：场效应晶体管，其构成离子传感器的工作电极；以及驱动电路，其在上述场效应晶体管的源电极与漏电极之间产生电位差，上述场效应晶体管的参比电极电位被固定。
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