Patent search ap:("学校法人早稻田大学") AND inv:"毕特" Page 1

1.

发明公开
金刚石场效应晶体管及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115244712A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018650.7

申请日：2021-02-17

Applicant: 学校法人早稻田大学

Inventor： 川原田洋 , 费文茜 , 毕特 , 岩泷雅幸

IPC: H01L29/78 , H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种金刚石场效应晶体管及其制造方法，为了降低界面能级密度而使用氧化硅膜作为具有含C‑Si键的硅终止层的栅极绝缘膜。FET(100A)包括在非掺杂的金刚石层(2A)的表面上形成的氧化硅膜(3A)、以氧化硅膜(3A)为掩模在非掺杂的金刚石层(2A)的表面上形成的非掺杂的金刚石层(4A)、在非掺杂的金刚石层(2A)和氧化硅膜(3A)的界面以及非掺杂的金刚石层(4A)和氧化硅膜(3A)的界面上形成的硅终止层(5A)、以及在氧化硅膜(3A)上形成的栅极(12A)。FET(100A)将氧化硅膜(3A)和在氧化硅膜(3A)上形成的绝缘膜(10A)作为栅极绝缘膜(11A)，将非掺杂的金刚石层(4A)作为源极区域和漏极区域进行动作。

Patent Agency Ranking