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公开(公告)号：CN113960061A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111580782.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于显示技术领域，公开了一种OLED喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点；从而可在封装前准确地检测各像素点是否有坏点，以便于在发现坏点时可进行修复。
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公开(公告)号：CN112612147A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011402708.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种太赫兹调制器及制备方法，所述太赫兹调制器包括砷化镓基片和石墨烯薄膜；所述砷化镓基片的一面刻蚀有类金字塔结构的突起；所述石墨烯薄膜覆盖在砷化镓基片具有类金字塔结构的突起的一面上。所述太赫兹调制器通过把高电阻率的砷化镓基片刻蚀为金字塔结构，并在基片表面制备一层石墨烯薄膜，这样在激光的作用下可以提高载流子的迁移率，达到对太赫兹波的快速调制。
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公开(公告)号：CN112001866B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011174933.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 季华实验室
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种多退化模型太赫兹图像复原方法、装置、存储介质和终端，复原方法结合了CNN和多重退化模型，其中多重退化模型重点考虑了造成太赫兹图像退化的三个因素:模糊核及其形式、噪声和下采样器；设计的CNN从多重退化模型中学习，然后提高太赫兹图像的质量；并且根据太赫兹光束的特点提出了用各向异性高斯模糊核代替各向同性高斯核的先验知识，以提高太赫兹图像复原的质量；另外，针对太赫兹复原网络训练缺乏HR、LR图像对作为训练集的问题，本复原方法利用X光图像作为HR图像，用所构建的太赫兹图像多重退化模型，对X光图像进行退化，得到模拟的太赫兹图像作为LR图像，从而完成训练集的构建。
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公开(公告)号：CN113744163B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111295516.X
申请日：2021-11-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于图像处理技术领域，公开了一种集成电路图像增强方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取集成电路的待处理的太赫兹图像；利用多尺度高斯函数对所述待处理的太赫兹图像进行去模糊处理，得到多个第一图像；对所述多个第一图像进行平均处理得到平均图像；利用LatLRR算法对所述平均图像进行多尺度分解得到多个细节图像；利用Bregman迭代算法对所述平均图像进行增强处理，得到第二图像；对所述多个细节图像和所述第二图像进行平均处理得到增强图像；从而可得到细节特征清晰的太赫兹图像，使图像的隐藏特征显现，与现有技术相比，得到的图像更有利于准确地判断集成电路的电介质层断裂、裂纹和分层等缺陷情况。
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公开(公告)号：CN113744162B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111294870.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: G06T5/00
Abstract: 本申请属于图像处理技术领域，公开了一种工业产品图像增强方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取待处理的太赫兹图像；对所述待处理的太赫兹图像进行恢复亮度处理；基于优化MSR算法对恢复亮度处理后的太赫兹图像进行增强处理，得到增强图像；从而不仅可以恢复图像场景亮度，消除雾霾，而且可以较好地平衡图像的灰度动态范围和边缘增强，得到的增强图像的细节特征清晰，有利于更准确地检测产品质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112017986A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011130159.7
申请日：2020-10-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及数据处理领域，提供了一种半导体产品缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括获取由太赫兹拍摄终端对半导体产品进行拍摄得到的内部结构图像，对所述内部结构图像进行预处理得到第一图像，将所述第一图像输入预先训练的缺陷识别模型，输出第二图像，判断所述第二图像中是否包含预设类型的目标区域，若有则确定所述第二图像对应的半导体产品存在缺陷。本发明能够降低检测半导体芯片缺陷问题的难度，提升对半导体芯片缺陷问题的检测精度。
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公开(公告)号：CN113744163A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111295516.X
申请日：2021-11-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于图像处理技术领域，公开了一种集成电路图像增强方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取集成电路的待处理的太赫兹图像；利用多尺度高斯函数对所述待处理的太赫兹图像进行去模糊处理，得到多个第一图像；对所述多个第一图像进行平均处理得到平均图像；利用LatLRR算法对所述平均图像进行多尺度分解得到多个细节图像；利用Bregman迭代算法对所述平均图像进行增强处理，得到第二图像；对所述多个细节图像和所述第二图像进行平均处理得到增强图像；从而可得到细节特征清晰的太赫兹图像，使图像的隐藏特征显现，与现有技术相比，得到的图像更有利于准确地判断集成电路的电介质层断裂、裂纹和分层等缺陷情况。
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公开(公告)号：CN112215445B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011427559.4
申请日：2020-12-09
Applicant: 季华实验室
IPC: G06Q10/04 , G06Q10/06 , G06Q50/04 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06N7/00 , B05B12/12 , B05B12/08 , H01L51/56 , H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种发光层制备多喷嘴喷射调度方法、装置、存储介质和终端，将多喷嘴喷射调度问题转化为深度强化学习问题，在实现深度强化学习方法的过程中，为每个喷嘴建立Agent,有效避免了同时对几千个喷嘴进行调度运算的难题；不仅实现了多喷嘴的喷射调度，而且还能够适应显示面板上子像素形状/大小/空间分布的变化，也能够适应喷嘴的动态变化，实现了在动态环境下也能够实现面向印刷OLED发光层的多喷嘴喷射调度。
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公开(公告)号：CN112231941B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011433837.7
申请日：2020-12-10
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种OLED喷印液滴质量预估方法、装置、存储介质和终端，通过构建印刷OLED喷射液滴优化领域知识图谱，并利用该领域知识图谱构建喷射结果评分预测矩阵对给定墨水性能和工艺参数下液滴质量进行预估，以此来指导工艺参数试验，减少人工经验依赖，提升试验效率；运用Deepwalk算法对喷射工艺试验中墨水、墨压、喷嘴参数之间关联进行充分挖掘与表征，不仅用于衡量不同喷嘴工艺参数相似度，也可用于衡量不同墨水/墨路压力工艺参数相似度，并结合喷嘴和墨水/墨路压力相似度，依据已有试验数据，对新喷嘴/墨水/墨路压力参数下的液滴质量效果进行预估；本方法有利于将新的试验数据不断加入到知识图谱中，提高预估准确性。
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公开(公告)号：CN112231941A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011433837.7
申请日：2020-12-10
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种OLED喷印液滴质量预估方法、装置、存储介质和终端，通过构建印刷OLED喷射液滴优化领域知识图谱，并利用该领域知识图谱构建喷射结果评分预测矩阵对给定墨水性能和工艺参数下液滴质量进行预估，以此来指导工艺参数试验，减少人工经验依赖，提升试验效率；运用Deepwalk算法对喷射工艺试验中墨水、墨压、喷嘴参数之间关联进行充分挖掘与表征，不仅用于衡量不同喷嘴工艺参数相似度，也可用于衡量不同墨水/墨路压力工艺参数相似度，并结合喷嘴和墨水/墨路压力相似度，依据已有试验数据，对新喷嘴/墨水/墨路压力参数下的液滴质量效果进行预估；本方法有利于将新的试验数据不断加入到知识图谱中，提高预估准确性。
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