公开(公告)号：CN111883435B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202010354558.5

申请日：2020-04-29

申请人： 奥迪股份公司 ,  日立能源瑞士股份公司

发明人： C·卢伊 ,  F·莫恩 ,  J·舒德雷尔

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/68 ,  H01L23/12 ,  H01L23/18 ,  H02M7/00 ,  B60R16/02

摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体模块(1)的方法，包括以下步骤：提供支承板(2)和基底(3)，在支承板(2)或基底(3)的表面(8)上设有结合层(7)的粘结区(10)中施加粘结剂(9)；通过使基底(3)和支承板(2)与结合层(7)和粘结剂(9)接触来将基底(3)定位在支承板(2)上；通过熔化或烧结结合层(7)使基底(3)和支承板(2)通过结合层(7)连接在一起。(7)；在支承板(2)或基底(3)的多个没有结合层

公开(公告)号：CN117083709A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280020589.4

申请日：2022-02-09

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： N·帕利克 ,  F·莫恩

IPC分类号： H01L23/373

摘要： 本公开涉及一种功率模块(101)，包括具有带集成冷却结构的金属基板(108)的至少一个半导体模块(104)。功率模块(101)还包括：第一外壳部件(121)，其由塑料材料制成且围绕金属基板(108)的至少部分模制以与至少一个半导体模块(104)建立形状配合连接；第二外壳部件(122)，其由塑料材料制成并且连结到第一外壳部件(121)以形成用于冷却剂(116)的空腔，以便冷却至少一个半导体模块(104)的集成冷却结构。本公开进一步涉及一种用于制造功率模块(101)的方法。

公开(公告)号：CN116325151A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180065650.2

申请日：2021-11-23

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： J·舒德勒 ,  F·莫恩 ,  柳春雷 ,  J·普科

IPC分类号： H01L25/07

摘要： 本发明涉及一种电接触装置(1)，用于使功率半导体模块(10)的至少两个功率半导体器件(2)电接触，所述电接触装置(1)包括至少两个键合线(9)和至少三个电触头(3)，所述至少三个电触头(3)包括交流触头、正直流触头和正直流触头，其中所述电触头(3)中的每个包括接地电位部分(4)；接触部分(6a、6b、6c)；以及绝缘部分(5a、5b、5c)，用于使所述接地电位部分(4)与所述接触部分(6a、6b、6c)电绝缘，其中所述绝缘部分(5a、5b、5c)设置在所述接地电位部分(4)上；并且所述接触部分(6a、6b、6c)设置在所述绝缘部分(5a、5b、5c)上，其中所述至少三个电触头(3)中的至少两个电触头通过以下两者而被分离，即在该分离的至少两个电触头(3)的绝缘部分(5a、5b、5c)之间具有间隙(G)以及在所述分离的至少两个电触头(3)的接触部分(6a、6b、6c)之间具有所述间隙(G)。至少一个第一键合线(9)将布置在所述正直流触头的接触部分(6b)上的第一功率半导体器件(2)与所述交流触头的接触部分(6a)连接，并且至少一个第二键合线(9)将布置在所述交流触头的接触部分(6a)上的第二功率半导体器件(2)与所述负直流触头的接触部分(6c)连接。

公开(公告)号：CN116635989A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180087075.6

申请日：2021-12-16

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： S·基辛 ,  G·里德尔 ,  J·舒德雷尔 ,  F·莫恩

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 本公开涉及一种功率半导体模块(34)，其包括承载多个功率半导体器件(10)的衬底(12)，其中，所述多个功率半导体器件(10)包括第一组功率半导体器件(10)和第二组至少一个功率半导体器件(10)。第一组功率半导体器件(10)由至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)组成，并且第二组功率半导体器件(10)由至少一个损坏的功率半导体器件(10a)组成。所述至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)以并联配置电互连，并且第二组至少一个功率半导体器件(10)与第一组功率半导体器件(10)的成员电分离。本公开进一步涉及一种电转换器和一种用于制造功率半导体模块(34)的方法。

公开(公告)号：CN113728428A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080030477.8

申请日：2020-04-02

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： A·施罗德 ,  S·基辛 ,  F·莫恩 ,  J·舒德勒

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

摘要： 一种功率半导体模块(10)包括：主衬底(12)，该主衬底具有被分隔成导电区域(24)的主导电层(18)；功率半导体芯片(22)，其中每个功率半导体芯片(22)具有第一功率电极(38)、第二功率电极(40)和栅极电极(42)，其中每个功率半导体芯片(22)利用第一功率电极(38)结合到主导电层(18)，并且其中第一组(36a)的功率半导体芯片(22)经由第二功率电极(40)并联连接，并且第二组(36b)的功率半导体芯片(22)经由第二功率电极(40)并联连接；电连接到第一组(36a)中的功率半导体芯片(22)的第一电极(38)、第二电极(40)或栅极电极(42)中的一个的第一控制导体(62a、64a)，以及电连接到第二组(36b)中的功率半导体芯片(22)的第一电极(38)、第二电极(40)或栅极电极(42)中的一个的第二控制导体(62b、64b)；第一绝缘层(54)和第一绝缘层(54)上的第一导电层(46)，其中第一控制导体的至少一部分由第一导电层的至少一部分(58a，58b)提供；以及第二绝缘层(56)和第二绝缘层(56)上的第二导电层(48)，其中第二控制导体(56)的至少一部分由第二导电层(48)的至少一部分(60a，60b)提供。主导电层(18)、第一绝缘层(54)、第一导电层(46)、第二绝缘层(56)和第二导电层(48)彼此叠置。

公开(公告)号：CN117157758A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280025173.1

申请日：2022-03-24

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： 柳春雷 ,  G·塞尔瓦托 ,  J·舒德雷尔 ,  F·莫恩

IPC分类号： H01L25/07

摘要： 一种用于制造功率模块(10)的方法包括：提供第一板(11)；提供第二板(12)；将具有第一数量N的功率半导体本体(13至18)布置在第一板(11)上；增材制造具有第一数量N的柔性结构(23至28)或提供具有第一数量N的增材制造的柔性结构(23至28)；以及形成堆叠，该堆叠包括第一板(11)、具有第一数量N的功率半导体本体(13至18)、具有第一数量N的柔性结构(23至28)和第二板(12)。

公开(公告)号：CN115039222A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180011873.0

申请日：2021-01-28

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： J·舒德雷尔 ,  S·基辛 ,  F·莫恩 ,  G·里德尔

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00 ,  H05K1/14 ,  H05K3/22 ,  H01L23/498 ,  H01L23/373 ,  H05K1/02

摘要： 一种功率半导体模块(10)包括：至少一个半导体板(16)，包括至少两个半导体芯片(24)，每个半导体芯片(24)具有两个功率电极(26，28)；适配器板(14)，在至少两个半导体芯片(24)上方附接至半导体板(16)，适配器板(14)在背离半导体板(16)的一侧上针对每个半导体芯片(24)包括端子区域(46)；其中，适配器板(14)在每个端子区域(46)中为与端子区域(46)相关的半导体芯片(24)的每个功率电极(26，28)提供功率端子(42)；其中，每个功率端子(42)通过端子区域(46)下方的导电垂直柱(34，36)与半导体芯片(24)电连接。

公开(公告)号：CN114175243A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080053828.7

申请日：2020-07-24

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： D·托雷辛 ,  F·莫恩 ,  B·阿戈斯蒂尼 ,  T·格拉丁格 ,  J·舒德勒

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/473 ,  H01L23/40

摘要： 本发明涉及为功率半导体模块(10)设置冷却器(12)的方法，其中冷却结构(32)焊接到衬底(14)或基板(15)的平坦表面。本发明还涉及根据该方法形成的功率半导体模块(10)的装置。

公开(公告)号：CN114175222A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080053766.X

申请日：2020-07-24

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： 柳春雷 ,  F·莫恩 ,  D·托雷辛 ,  E·梅诺蒂

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L23/488

摘要： 本发明涉及一种将端子(22)连接到基板(12)以形成功率半导体模块(10)的方法，其中，端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接配合区域，并且具有较低硬度的第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将端子(22)连接到基板(12)，其特征在于,在将端子(22)连接到基板(12)之前,该方法包括提供连接层(32)的步骤，该连接层具有由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，连接层(32)设置在连接基部区域上，并且其中，表面子层面向连接配合区域。

公开(公告)号：CN219040456U

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202190000307.5

申请日：2021-02-19

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： 柳春雷 ,  J·舒德雷尔 ,  F·莫恩 ,  M·贝利尼 ,  P·K·施特默尔

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/62 ,  H01L27/082 ,  H01L25/18

摘要： 公开了一种功率半导体模块，包括：基板；宽带隙材料裸芯，包括附接至基板的宽带隙材料裸芯中的多个半导体电路的阵列，其中，半导体电路通过边缘终止区彼此间隔开；金属预制件，压靠在多个半导体电路中的每个半导体电路上，以电接触多个半导体电路中的每个半导体电路，并且适于在被过电流加热时形成通过宽带隙材料裸芯的至少临时导电路径，其中，半导体电路通过基板和金属预制件并联连接。