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公开(公告)号：CN115434000A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211205313.1
申请日：2022-09-28
申请人： 天津理工大学
摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种均匀掺杂Fe2+离子的硒化锌单晶制备，包括步骤：首先对石英合料坩埚和生长坩埚进行清洗并镀碳膜，然后进行干燥处理；将称量的溶剂、Fe2+化合物和硒化锌多晶颗粒装入合料坩埚中，抽真空并密封，然后装入合料炉内，通过缓慢摇摆使过Fe2+离子在溶剂中分布均匀，达到预混匀目的，获得熔区料；将预混合的熔区料、ZnSe多晶颗粒依次装入生长坩埚，抽真空并密封，然后装入生长炉内开始晶体生长。在ZnSe生长过程中引入溶剂，不仅显著降低生长温度，减少晶体结构缺陷的形成，更有利于Fe2+离子的均匀分布。采用本申请的制备方法生长获得的Fe2+离子掺杂的ZnSe单晶，具有掺杂离子均匀、晶体光学质量优异等优点。
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公开(公告)号：CN118756317A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410835786.2
申请日：2024-06-26
申请人： 天津理工大学
摘要： 一种碘铋银单晶的制备方法，首先将符合一定摩尔比的AgI和BiI3原料抽真空密封在生长坩埚中，然后装入合料炉内，合料炉先升温到BiI3熔点之上，通过摇摆使BiI3混合均匀，将合料炉升温到AgI熔点之上，通过摇摆使AgI和BiI3混合均匀，获得成分均匀的碘铋银多晶锭，将多晶锭放入生长炉，设定生长控制参数进行碘铋银晶体生长，最终生长出高质量碘铋银单晶。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的无开裂碘铋银单晶，解决了现有碘铋银单晶制备方法复杂和晶体开裂的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。采用本申请的制备方法生长获得的碘铋银单晶，具有缺陷密度低、光电性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN115434000B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211205313.1
申请日：2022-09-28
申请人： 天津理工大学
摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了2+一种均匀掺杂Fe 离子的硒化锌单晶制备，包括步骤：首先对石英合料坩埚和生长坩埚进行清洗并镀碳膜，然后进行干燥处理；将称量的溶剂、Fe2+化合物和硒化锌多晶颗粒装入合料坩埚中，抽真空并密封，然后装入合料炉内，通过缓慢摇摆使过Fe2+离子在溶剂中分布均匀，达到预混匀目的，获得熔区料；将预混合的熔区料、ZnSe多晶颗粒依次装入生长坩埚，抽真空并密封，然后装入生长炉内开始晶体生长。在ZnSe生长过程中引入溶剂，不仅显著降低生长温度，减少晶体结构缺陷的形成，更有利于Fe2+离子的均匀分布。采用本申请的制备方法生长获得的Fe2+离子掺杂的ZnSe单晶，具有掺杂离子均匀、晶体光学质量优异等优点。
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公开(公告)号：CN118528078A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410591969.4
申请日：2024-05-14
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明公开了一种AgBi2I7晶体的抛光工艺，涉及晶体材料表面处理技术领域，包括以下步骤：首先对待抛光的晶片表面采用2500目和5000目砂纸打磨处理以快速去除晶体机械切割痕；采用异丙醇与粉末粒径为20μm的氧化铝粉末配制粗抛液并对晶片进行粗抛；再用异丙醇与粉末粒径为30nm的氧化铝粉末配制细抛液并对晶片进行细抛；最后用异丙醇对抛光的晶片进行清洗，用氮气吹干。该方法简单实用易操作，可高效获得光学显微镜下表面光滑平整、无划痕的镜面级抛光晶片，抛光后的晶片光学性能及电学性能均有显著提升。
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公开(公告)号：CN116654980A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310559208.6
申请日：2023-05-18
申请人： 天津理工大学
摘要： 本申请涉及卤化物原料提纯技术领域，具体涉及一种晶体生长用溴化铋的提纯方法及应用。具体为：将装有溴化铋原料的容器放置于真空加热设备中，启动真空加热设备，并依次进行升温、保温、降温过程，所述真空加热设备至少设有一组高温区和低温区，所述容器同时穿过至少一组高温区和低温区。通过在密闭环境中的升温，使溴化铋在高温区气化，而杂质无法气化，在真空状态下，气相的溴化铋可以快速的移动到达低温区后由于温度的降低，从而形成固相的溴化铋，沉积在石英管的管口，完成分离提纯的操作。该方法提纯得到的溴化铋原料的杂质浓度显著下降，并且用纯化后的溴化铋原料生长的晶体质量更优。
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公开(公告)号：CN116288649A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310340625.1
申请日：2023-04-03
申请人： 天津理工大学
摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种高质量Cs3Cu2I5单晶的生长方法。针对现有技术生长Cs3Cu2I5晶体时因熔体成分偏差及不均匀、原料易潮解等导致晶体质量差的问题，本发明提出采用摇摆炉合成和真空加热干燥技术控制晶体的化学计量比和消除杂质，制备出原料化合充分、成分均匀的高纯Cs3Cu2I5多晶料，进而生长出高质量Cs3Cu2I5单晶。本发明步骤如下：首先将经过真空加热干燥技术处理后的CsI和CuI原料密封在石英坩埚中，然后装入摇摆炉升至原料熔点之上，按设定的摇摆参数进行摇摆混匀和化合反应，获得成分均匀的Cs3Cu2I5多晶锭，将多晶锭放入单晶生长炉内，设定生长控制参数进行单晶生长，最终生长出了高质量的Cs3Cu2I5单晶。
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