公开(公告)号：CN115434000A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211205313.1

申请日：2022-09-28

申请人： 天津理工大学

发明人： 周伯儒 ,  杨达 ,  南娓娜 ,  李玉贤 ,  张梁 ,  胡章贵 ,  吴以成

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/48

摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种均匀掺杂Fe2+离子的硒化锌单晶制备，包括步骤：首先对石英合料坩埚和生长坩埚进行清洗并镀碳膜，然后进行干燥处理；将称量的溶剂、Fe2+化合物和硒化锌多晶颗粒装入合料坩埚中，抽真空并密封，然后装入合料炉内，通过缓慢摇摆使过Fe2+离子在溶剂中分布均匀，达到预混匀目的，获得熔区料；将预混合的熔区料、ZnSe多晶颗粒依次装入生长坩埚，抽真空并密封，然后装入生长炉内开始晶体生长。在ZnSe生长过程中引入溶剂，不仅显著降低生长温度，减少晶体结构缺陷的形成，更有利于Fe2+离子的均匀分布。采用本申请的制备方法生长获得的Fe2+离子掺杂的ZnSe单晶，具有掺杂离子均匀、晶体光学质量优异等优点。

公开(公告)号：CN115434000B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202211205313.1

申请日：2022-09-28

申请人： 天津理工大学

发明人： 周伯儒 ,  杨达 ,  南娓娜 ,  李玉贤 ,  张梁 ,  胡章贵 ,  吴以成

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/48

摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了2+一种均匀掺杂Fe 离子的硒化锌单晶制备，包括步骤：首先对石英合料坩埚和生长坩埚进行清洗并镀碳膜，然后进行干燥处理；将称量的溶剂、Fe2+化合物和硒化锌多晶颗粒装入合料坩埚中，抽真空并密封，然后装入合料炉内，通过缓慢摇摆使过Fe2+离子在溶剂中分布均匀，达到预混匀目的，获得熔区料；将预混合的熔区料、ZnSe多晶颗粒依次装入生长坩埚，抽真空并密封，然后装入生长炉内开始晶体生长。在ZnSe生长过程中引入溶剂，不仅显著降低生长温度，减少晶体结构缺陷的形成，更有利于Fe2+离子的均匀分布。采用本申请的制备方法生长获得的Fe2+离子掺杂的ZnSe单晶，具有掺杂离子均匀、晶体光学质量优异等优点。