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公开(公告)号：CN109343641B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811408654.2
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种高精度的电流基准电路，包括多个MOS管、多晶硅电阻R1和R0、PNP三极管Q1和Q2等,其中Q2和R0并联，Q1和R1并联，这种三极管与多晶硅电阻并联的形式就是该电路的核心架构，NM2和NM3，NM0和NM1分别构成电流镜，电流镜的偏置电流来自于三极管与多晶硅电阻的叠加电流，最后由PM7和PM8、PM4和PM5分别构成的电流镜输出得到一个正温度系数电流与一个负温度系数的电流，相互叠加后获得一个与温度无关的基准电流Iref。本发明相对于一般的经典电流基准电路结构简单，具有更加良好的温度系数，降低了电路成本以及使用成本。
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公开(公告)号：CN109343641A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811408654.2
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种高精度的电流基准电路，包括多个MOS管、多晶硅电阻R1和R0、PNP三极管Q1和Q2等,其中Q2和R0并联，Q1和R1并联，这种三极管与多晶硅电阻并联的形式就是该电路的核心架构，NM2和NM3，NM0和NM1分别构成电流镜，电流镜的偏置电流来自于三极管与多晶硅电阻的叠加电流，最后由PM7和PM8、PM4和PM5分别构成的电流镜输出得到一个正温度系数电流与一个负温度系数的电流，相互叠加后获得一个与温度无关的基准电流Iref。本发明相对于一般的经典电流基准电路结构简单，具有更加良好的温度系数，降低了电路成本以及使用成本。
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公开(公告)号：CN109445507A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811408651.9
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路，包括运算放大器VG、三极管Q0和Q1、MOS管M0，电阻R0、R1和R2、电容C0，所述运算放大器VG的正向输入端记为VP点，反相输入端记为VN点，运算放大器VG的输出端与MOS管M0的栅极相连,MOS管M0的漏极输出点记为VBG点，两个阻值相等的电阻R1分别连接于VBG点\VP点和VBG点/VN点之间，所述电阻R2和电容C0串联后与两个R1分别并联连接，电阻R0的两端分别与VP点和三极管Q0的发射极相连，三极管Q0和Q1的基极分别与各自的集电极相连，且三极管Q0和Q1的集电极相连接，三极管Q1的发射极与VN点相连，所述MOS管M0的源极连接电源VDD。本发明可以获得较宽频域内的高PSRR(电源抑制比)。
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公开(公告)号：CN109445507B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201811408651.9
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路，包括运算放大器VG、三极管Q0和Q1、MOS管M0，电阻R0、R1和R2、电容C0，所述运算放大器VG的正向输入端记为VP点，反相输入端记为VN点，运算放大器VG的输出端与MOS管M0的栅极相连,MOS管M0的漏极输出点记为VBG点，两个阻值相等的电阻R1分别连接于VBG点\VP点和VBG点/VN点之间，所述电阻R2和电容C0串联后与两个R1分别并联连接，电阻R0的两端分别与VP点和三极管Q0的发射极相连，三极管Q0和Q1的基极分别与各自的集电极相连，且三极管Q0和Q1的集电极相连接，三极管Q1的发射极与VN点相连，所述MOS管M0的源极连接电源VDD。本发明可以获得较宽频域内的高PSRR(电源抑制比)。
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公开(公告)号：CN209198980U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201821943906.7
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本实用新型公开了一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路，包括运算放大器VG、三极管Q0和Q1、MOS管M0，电阻R0、R1和R2、电容C0，所述运算放大器VG的正向输入端记为VP点，反相输入端记为VN点，运算放大器VG的输出端与MOS管M0的栅极相连,MOS管M0的漏极输出点记为VBG点，两个阻值相等的电阻R1分别连接于VBG点\VP点和VBG点/VN点之间，所述电阻R2和电容C0串联后与两个R1分别并联连接，电阻R0的两端分别与VP点和三极管Q0的发射极相连，三极管Q0和Q1的基极分别与各自的集电极相连，且三极管Q0和Q1的集电极相连接，三极管Q1的发射极与VN点相连，所述MOS管M0的源极连接电源VDD。本实用新型可以获得较宽频域内的高PSRR(电源抑制比)。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209198979U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201821942936.6
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本实用新型提供一种高精度的电流基准电路，包括多个MOS管、多晶硅电阻R1和R0、PNP三极管Q1和Q2等,其中Q2和R0并联，Q1和R1并联，这种三极管与多晶硅电阻并联的形式就是该电路的核心架构，NM2和NM3，NM0和NM1分别构成电流镜，电流镜的偏置电流来自于三极管与多晶硅电阻的叠加电流，最后由PM7和PM8、PM4和PM5分别构成的电流镜输出得到一个正温度系数电流与一个负温度系数的电流，相互叠加后获得一个与温度无关的基准电流Iref。本实用新型相对于一般的电流基准电路结构简单，具有更加良好的温度系数，降低了电路成本以及使用成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN113676185B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111050470.5
申请日：2021-09-08
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 一种基于差分差值放大器的虚拟二阶delta‑sigma调制器电路，涉及到集成电路技术领域，主要由一个差分差值运算放大器A1，反馈电容C9,C10,C11,C12，采样电容C1,C2,C5,C6，积分电容C3,C4,C7,C8，开关S1～S48和一个比较器构成。通过采用放大器复用技术，可利用两级积分器共用同一个放大器，实现二级积分器的功能，优化电路的功耗和面积。但是电荷注入效应会在积分电容C3和C7之间产生误差，使噪声和谐波分量增加，因此，本发明提出采用差分差值放大器代替放大器复用电路中的传统放大器，在一定的逻辑信号控制下，实现了积分器中积分电容与复用放大器共享输入端口之间的相互隔离，减小电荷注入效应的影响，提高了电路精度。
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公开(公告)号：CN109375688B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811440576.4
申请日：2018-11-29
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明提出了一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路，属于电源管理技术领域。包括了启动电路、电流基准电路、VPTAT电路、VCTAT电路。启动电路的作用是为了防止零电流传输的情况，电路正常工作以后，首先，利用电流基准的核心结构，包括高阈值的MOS管和低阈值的MOS管，产生一个纳安级的基准电流，利用电流镜为VPTAT电路和VCTAT电路提供偏置。负温度系数的电压是利用具有不同阈值电压的MOS管的栅源电压差来产生，同时，利用不平衡的差分对产生正温度系数的电压。两种不同温度系数的电压相互叠加补偿产生基准电压。本发明在实现超低功耗以及减小版图面积的前提下，能够完成低压输出以及低温漂的设计指标。
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公开(公告)号：CN111509966A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010204888.6
申请日：2020-03-22
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明实施例提供了一种超低电压负反馈调制能量收集电路，涉及变压调制的技术领域，包括：MOS管组；第一二极管D1；第二二极管D2；变压器；第一电容C1；第二电容C2；负电压发生器；第一比较器以及放大器；第二电阻R2；第三电阻R3；第四电阻R4以及第五电阻R5；MOS管组包括第一MOS管M1、第二MOS管M2，第三MOS管M3以及第四MOS管M4；通过上述电路元器件及其连接方式可以提高现有技术中的感应供电的能量传输效率，提高能量传输电路的带载能力。
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公开(公告)号：CN113922776B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111186906.3
申请日：2021-10-12
申请人： 天津理工大学
摘要： 一种基于开关电容式共模反馈电荷放大器的C/V转换电路，由信号调制器、共模反馈电荷放大器、解调器以及低通滤波器四部分构成；所述共模反馈电荷放大器采用基于开关电容式共模反馈运算放大器替换传统的放大器。所述开关电容共模反馈电荷放大器主要由一个全差分运算放大器A2，两个积分电容Cint和两个反馈电阻Rb构成，其中运算放大器A2由开关电容共模反馈控制电路(SC_CMFB)和主放大器电路(A2_core)构成。本发明通过对共模反馈部分做出的改动，在有效降低功耗的基础上，高频控制的时钟信号使得输出共模反馈控制电路的输出共模信号得到了快速恢复，从而使放大器的输入端共模信号通过反馈电阻也得到快速调整，进而改善了整个C/V转换电路的性能。
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