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公开(公告)号：CN109343641A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811408654.2
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种高精度的电流基准电路，包括多个MOS管、多晶硅电阻R1和R0、PNP三极管Q1和Q2等,其中Q2和R0并联，Q1和R1并联，这种三极管与多晶硅电阻并联的形式就是该电路的核心架构，NM2和NM3，NM0和NM1分别构成电流镜，电流镜的偏置电流来自于三极管与多晶硅电阻的叠加电流，最后由PM7和PM8、PM4和PM5分别构成的电流镜输出得到一个正温度系数电流与一个负温度系数的电流，相互叠加后获得一个与温度无关的基准电流Iref。本发明相对于一般的经典电流基准电路结构简单，具有更加良好的温度系数，降低了电路成本以及使用成本。
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公开(公告)号：CN109343641B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811408654.2
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种高精度的电流基准电路，包括多个MOS管、多晶硅电阻R1和R0、PNP三极管Q1和Q2等,其中Q2和R0并联，Q1和R1并联，这种三极管与多晶硅电阻并联的形式就是该电路的核心架构，NM2和NM3，NM0和NM1分别构成电流镜，电流镜的偏置电流来自于三极管与多晶硅电阻的叠加电流，最后由PM7和PM8、PM4和PM5分别构成的电流镜输出得到一个正温度系数电流与一个负温度系数的电流，相互叠加后获得一个与温度无关的基准电流Iref。本发明相对于一般的经典电流基准电路结构简单，具有更加良好的温度系数，降低了电路成本以及使用成本。
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公开(公告)号：CN209198979U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201821942936.6
申请日：2018-11-23
申请人： 天津三源兴泰微电子技术有限公司 , 天津理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本实用新型提供一种高精度的电流基准电路，包括多个MOS管、多晶硅电阻R1和R0、PNP三极管Q1和Q2等,其中Q2和R0并联，Q1和R1并联，这种三极管与多晶硅电阻并联的形式就是该电路的核心架构，NM2和NM3，NM0和NM1分别构成电流镜，电流镜的偏置电流来自于三极管与多晶硅电阻的叠加电流，最后由PM7和PM8、PM4和PM5分别构成的电流镜输出得到一个正温度系数电流与一个负温度系数的电流，相互叠加后获得一个与温度无关的基准电流Iref。本实用新型相对于一般的电流基准电路结构简单，具有更加良好的温度系数，降低了电路成本以及使用成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN109375688A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811440576.4
申请日：2018-11-29
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明提出了一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路，属于电源管理技术领域。包括了启动电路、电流基准电路、VPTAT电路、VCTAT电路。启动电路的作用是为了防止零电流传输的情况，电路正常工作以后，首先，利用电流基准的核心结构，包括高阈值的MOS管和低阈值的MOS管，产生一个纳安级的基准电流，利用电流镜为VPTAT电路和VCTAT电路提供偏置。负温度系数的电压是利用具有不同阈值电压的MOS管的栅源电压差来产生，同时，利用不平衡的差分对产生正温度系数的电压。两种不同温度系数的电压相互叠加补偿产生基准电压。本发明在实现超低功耗以及减小版图面积的前提下，能够完成低压输出以及低温漂的设计指标。
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公开(公告)号：CN109375688B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811440576.4
申请日：2018-11-29
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明提出了一种超低功耗低电压低温漂的亚阈值基准电压产生电路，属于电源管理技术领域。包括了启动电路、电流基准电路、VPTAT电路、VCTAT电路。启动电路的作用是为了防止零电流传输的情况，电路正常工作以后，首先，利用电流基准的核心结构，包括高阈值的MOS管和低阈值的MOS管，产生一个纳安级的基准电流，利用电流镜为VPTAT电路和VCTAT电路提供偏置。负温度系数的电压是利用具有不同阈值电压的MOS管的栅源电压差来产生，同时，利用不平衡的差分对产生正温度系数的电压。两种不同温度系数的电压相互叠加补偿产生基准电压。本发明在实现超低功耗以及减小版图面积的前提下，能够完成低压输出以及低温漂的设计指标。
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