公开(公告)号：CN118658893B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411140281.0

申请日：2024-08-20

申请人： 天水天光半导体有限责任公司

发明人： 庄立强 ,  刘婉娜 ,  马霞 ,  张静 ,  梁小龙 ,  李文娟 ,  马美玲 ,  刘云洁

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种小电容肖特基二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该小电容肖特基二极管包括外延片、分别设置于外延片正面和反应的正面结构及反面结构；正面结构包括TiSi2层、TiN层、Ti层、Al层、SiO2钝化层及Si3N4钝化层；反面结构包括Ti金属层等。该肖特基二极管电容较小，反向击穿电压较高，漏电流较低。其制备方法包括：对RCA清洗后的外延片进行初始氧化处理、掺氯氧化处理、干氧氧化处理、一次光刻、形成Ti金属层、二次光刻、形成硅化物、Ti硅化物腐蚀、正面金属蒸发、正面金属反刻、形成Al合金层、形成钝化层、钝化层光刻、背面减薄、背面腐蚀和背面金属蒸发，该方法容易操作，可工业化生产。

公开(公告)号：CN118782542A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411077106.1

申请日：2024-08-07

申请人： 天水天光半导体有限责任公司

发明人： 李文娟 ,  王永功 ,  梁小龙 ,  杨军民 ,  刘婉娜

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L27/146 ,  B28D5/00 ,  B28D7/00

摘要： 本发明提供了一种半导体器件的划片方法，涉及半导体技术领域。针对硅片与玻璃相贴合的结构进行划片，先采用硬刀对硅片进行切割，使硅片切透，确定产品尺寸，再根据产品尺寸采用软刀进行玻璃切割，本发明实施例提供的划片工艺具备节约设备、物料等优势，有助于提高生产效率和产品良率。

公开(公告)号：CN117810169A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311797477.2

申请日：2023-12-25

申请人： 天水天光半导体有限责任公司

发明人： 李文娟 ,  张婵娟 ,  刘婉娜 ,  苏爱连 ,  马玉霞 ,  梁小龙

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/764 ,  H01L21/687

摘要： 本发明提供了一种芯片制备方法，涉及半导体加工的技术领域，背面电极的蒸镀是在整个晶圆未被切断以前完成，因此，晶圆能够通过晶圆夹具被放置在蒸镀腔的行星架上，进行正常的热蒸发镀膜或者电子束蒸发镀膜，而无需利用黏附胶，也就不会导致UV膜在蒸镀背面电极后不易从晶圆夹具上取下，且每次蒸镀背面电极后，黏附胶因高温失效需清洗重新涂敷的问题的产生了。

公开(公告)号：CN117737662A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311753622.7

申请日：2023-12-19

申请人： 天水天光半导体有限责任公司

发明人： 刘云洁 ,  马玉霞 ,  刘婉娜 ,  张静 ,  任亚龙 ,  王永功 ,  庄立强 ,  雷亚平 ,  任雄 ,  武可宏

IPC分类号： C23C14/30

摘要： 本发明提供了一种镍金属源块结构，涉及电子束蒸发镀膜的技术领域，镍金属源块结构包括：一主体，主体包括倒梯形的纵向截面，主体包括对应倒梯形顶部的溅射蒸发面及对应倒梯形底部的加热面；一第一热传导结构，设置于溅射蒸发面与加热面之间，用于降低热量自加热面传导至溅射蒸发面的速度。本实施方式中，金属源块结构的溅射蒸发面与加热面之间设置有第一热传导结构，第一热传导结构用于降低热量自加热面传导至溅射蒸发面的速度，在镍金属源块结构下方的加热面受到的热量不变的情况下，传递到溅射蒸发面的热量所需要的时间更长，镍金属源块结构熔化放缓，熔化过程中的气体释放速率就降低了，因此，缓解了气爆问题。

公开(公告)号：CN118658893A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202411140281.0

申请日：2024-08-20

申请人： 天水天光半导体有限责任公司

发明人： 庄立强 ,  刘婉娜 ,  马霞 ,  张静 ,  梁小龙 ,  李文娟 ,  马美玲 ,  刘云洁

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种小电容肖特基二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该小电容肖特基二极管包括外延片、分别设置于外延片正面和反应的正面结构及反面结构；正面结构包括TiSi2层、TiN层、Ti层、Al层、SiO2钝化层及Si3N4钝化层；反面结构包括Ti金属层等。该肖特基二极管电容较小，反向击穿电压较高，漏电流较低。其制备方法包括：对RCA清洗后的外延片进行初始氧化处理、掺氯氧化处理、干氧氧化处理、一次光刻、形成Ti金属层、二次光刻、形成硅化物、Ti硅化物腐蚀、正面金属蒸发、正面金属反刻、形成Al合金层、形成钝化层、钝化层光刻、背面减薄、背面腐蚀和背面金属蒸发，该方法容易操作，可工业化生产。

公开(公告)号：CN117810170A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311798091.3

申请日：2023-12-25

申请人： 天水天光半导体有限责任公司

发明人： 李文娟 ,  张静 ,  王永功 ,  刘婉娜 ,  张婵娟

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/71

摘要： 本发明提供了一种晶圆切割方法，涉及半导体激光器的技术领域，晶圆切割方法，包括：步骤S10.提供一晶圆，所述晶圆的正面制备有一功率器件阵列，所述功率器件阵列通过划片槽分隔；步骤S20.对所述晶圆的背面进行减薄；步骤S30.在所述晶圆的背面形成凹槽，使每个所述凹槽与所述晶圆正面的所述功率器件阵列中的一列功率器件位置对应；步骤S40.在凹槽内制备对应所述功率器件的背面电极；步骤S50.通过所述划片槽对所述晶圆进行划片。