一种基于真空导电吸盘的SiC晶片光电化学机械抛光装置及方法

    公开(公告)号:CN115625627B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202211400990.9

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本发明提供一种基于真空导电吸盘的SiC晶片光电化学机械抛光装置及方法,包括:工作台、工作主轴单元、晶片、抛光盘单元、十字滑台单元、晶片装卸单元及抛光液槽。晶片装卸单元、十字滑台单元和工作主轴单元分别固定安装在工作台上;所述抛光盘单元固定安装在十字滑台单元上,十字滑台实现抛光盘的空间位置调节。采用真空导电吸盘直接吸附晶片固定并对晶片传递阳极偏压,阳极偏压分离紫外光源激发SiC晶片产生的电子‑空穴对,SiC晶片表面氧化,抛光盘机械去除,依次往复。通过晶片翻转单元,无需手动拆卸,晶片可直接正反面加工,节约加工前后晶片安装固定时间。本发明自动化程度高,操作简单,工艺参数可调,SiC晶片的材料去除率高,表面质量好。

    基于多种波长长余辉发光粒子的半导体衬底晶片光电化学机械抛光装置及方法

    公开(公告)号:CN119188583A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411560275.0

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明涉及一种基于多种波长长余辉发光粒子的半导体衬底晶片光电化学机械抛光装置及方法,包括机架、龙门架、电化学工作站、抛光液回收槽、控制面板、顶升抛光盘以及转盘式真空光照单元,龙门架上安装有导电旋转吸盘,在导电旋转吸盘的末端设置待加工工件,所述顶升抛光盘设置于导电旋转吸盘的下方,通过高度的调整完成其上抛光盘与待加工工件距离的调节,转盘式真空光照单元中设有配合待加工半导体衬底晶片材料的长余辉发光粒子,被激发的长余辉发光粒子混入抛光液中,完成半导体衬底晶片表面的光电化学机械抛光。本发明使用不同长余辉发光粒子和不同光源,适合多种半导体材料。通过转盘式真空光照单元旋转,简单快速实现更换不同波长的光照。

    一种多工位宽禁带半导体晶片光电化学机械抛光装置及方法

    公开(公告)号:CN115648054A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211400988.1

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本发明提供一种多工位宽禁带半导体晶片光电化学机械抛光装置及方法,包括:基座、工作台、龙门单元、抛光盘单元、主轴单元及抛光液槽,所述工作台固定安装在基座上;龙门单元、主轴单元及抛光液槽分别固定安装在工作台上;所述抛光盘单元固定安装在龙门单元上,所述抛光盘单元包括具有多工位的真空导电吸盘和LED紫外灯,通过抛光液使工位中作为阳极的晶片表面和作为阴极的抛光盘形成闭合回路,完成晶片表面的光电化学抛光。本发明的装置与方法相辅相成,自动化程度高,可同时实现多工位抛光,节约加工时间,能够实现宽禁带半导体晶片的高质高效抛光。

    一种针对电场均匀排布与光场相互协调的光电化学机械抛光半导体衬底的装置及方法

    公开(公告)号:CN119188585A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411560281.6

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明涉及一种针对电场均匀排布与光场相互协调的光电化学机械抛光半导体衬底的装置及方法,包括机架、机体单元、抛光盘组件、导电基座、LED紫外光源、电化学工作站和移动组件,机体单元用于抛光盘组件的加载和卸载,电化学工作站、LED光源电源分别在加工过程中为导电基座和LED紫外光源提供电源,LED紫外光源固定在抛光盘上,在抛光盘对工件抛光过程中一同作用在加工中的半导体衬底工件上,半导体衬底工件粘结在导电基座之上。本发明LED光源直接照射在加工工件表面,有效缩短光源与抛光液之间的距离,提高光场的作用,同时调节沿半径不同方向上的光场强度,与施加在工件上的电场一同作用保证工件表面的氧化均匀,加工后的工件的平整度有所保证。

    一种基于真空导电吸盘的SiC晶片光电化学机械抛光装置及方法

    公开(公告)号:CN115625627A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211400990.9

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本发明提供一种基于真空导电吸盘的SiC晶片光电化学机械抛光装置及方法,包括:工作台、工作主轴单元、晶片、抛光盘单元、十字滑台单元、晶片装卸单元及抛光液槽。晶片装卸单元、十字滑台单元和工作主轴单元分别固定安装在工作台上;所述抛光盘单元固定安装在十字滑台单元上,十字滑台实现抛光盘的空间位置调节。采用真空导电吸盘直接吸附晶片固定并对晶片传递阳极偏压,阳极偏压分离紫外光源激发SiC晶片产生的电子‑空穴对,SiC晶片表面氧化,抛光盘机械去除,依次往复。通过晶片翻转单元,无需手动拆卸,晶片可直接正反面加工,节约加工前后晶片安装固定时间。本发明自动化程度高,操作简单,工艺参数可调,SiC晶片的材料去除率高,表面质量好。

    一种多工序双向压力调节半导体晶圆抛光装置及方法

    公开(公告)号:CN119550241A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411560284.X

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明涉及一种多工序双向压力调节半导体晶圆抛光装置及方法,包括:工作台、抛光工具头、上下料装置、主轴模块、滑台和若干压力控制模块,压力控制模块安装在工作台上;抛光工具头安装在主轴模块上,工作台、主轴模块均安装在滑台上,滑台用于实现主轴模块的高度位置调节,主轴模块通过丝杠进给对晶圆粗调施加压力,每个压力控制模块上均设置有压力传感器与微纳驱动平台,待抛光半导体晶圆放置在压力控制模块的顶端,上下料装置用于完成待抛光半导体晶圆的上料和加工后下料,各压力控制模块对不同工位/工序上抛光压力进行在线检测,通过微纳驱动平台动态精准调节抛光时的压力,使每片晶圆始终保持最优加工参数,完成对晶圆的抛光加工。

    一种多工位宽禁带半导体晶片光电化学机械抛光装置及方法

    公开(公告)号:CN115648054B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202211400988.1

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本发明提供一种多工位宽禁带半导体晶片光电化学机械抛光装置及方法,包括:基座、工作台、龙门单元、抛光盘单元、主轴单元及抛光液槽,所述工作台固定安装在基座上;龙门单元、主轴单元及抛光液槽分别固定安装在工作台上;所述抛光盘单元固定安装在龙门单元上,所述抛光盘单元包括具有多工位的真空导电吸盘和LED紫外灯,通过抛光液使工位中作为阳极的晶片表面和作为阴极的抛光盘形成闭合回路,完成晶片表面的光电化学抛光。本发明的装置与方法相辅相成,自动化程度高,可同时实现多工位抛光,节约加工时间,能够实现宽禁带半导体晶片的高质高效抛光。

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