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公开(公告)号：CN101466194A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910010111.X
申请日：2009-01-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属等离子体放电反应器技术领域，涉及一种预电离结构的大气压低温等离子体射流发生器。其特征在于：装置主体为一根一端开放的毫米量级主石英管，其下方开口端上方15－25mm处有一变经并在20mm变为最细，在此处缠绕一环状电极。通过主石英管上方封闭端在其内部接一细石英管，在细石英管内部有一针电极。在主石英管开口端下方有一接地电极。针电极内通入氩气，主石英管中通入氧气。针电极与环状电极上施加相同的高压，针电极放电为环状电极放电提供种子电子，则在环状电极与接地电极间形成稳定的辉光放电等离子体射流。本发明的效果和益处在于，所获常压等离子体射流可以产生高浓度的化学活性种类，具有实用价值。
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公开(公告)号：CN1851036A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610200504.3
申请日：2006-05-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明属于低温等离子体技术领域中材料表面改性技术，公开了一种利用直流辉光放电等离子体的细长金属管内表面常温注氮方法。其特征是：采用同轴电极结构、氩气和氮气或氨气Pa的气压下，利用几千伏的直流恒定高电压在细长金属管内产生稳定的圆筒状直流辉光等离子体，管内产生的圆筒状直流辉光等离子体的长度通过电压源电压进行控制，无需对待处理金属管加热或散热，在常温下对整个细长金属管内表面进行氮离子注入。本发明效果和益处是可以在直径5mm以上，长度5mm－2000mm的金属管表面均匀地进行氮离子注入，由于采用几千伏稳恒直流电压源，对真空度要求不高，无需对待处理金属管加热或散热，因而设备成本低，使用和维护方便。
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公开(公告)号：CN101252805A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810010904.7
申请日：2008-03-31
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于等离子体放电反应器技术领域，涉及一种简易大气压悬浮电极冷等离子体射流发生器。特征在于：装置主体为一根毫米量级石英管，与供气源相连一端为发生器进气口，另一端为射流出口；射流出口上方有一对针电极嵌入石英管内，两电极呈径向对称，与交流源相连的一侧针电极为功率电极，另一侧针电极悬浮于空气中为悬浮电极；通过施加电压，电极之间放电产生等离子体，经流动气体作用喷射出管外形成射流。本发明的效果和益处在于：针电极结构可降低射流产生及维持电压；悬浮电极不但有利于提高能量利用率，还可有效控制放电强度，维持稳定放电；所获常压等离子体射流具有温度低、长度长、产生及维持电压低、连续工作时间长、结构简单等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1184346C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN99101568.1
申请日：1999-01-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C8/36
Abstract: 材料表面改性领域中用计算机控制的等离子体源离子渗氮工艺及设备，工艺包括：工件准备、装炉抽真空、充氮气、注渗和停机出炉工艺步骤；特征：通过计算机[14]自动调控正负脉冲对的频率，占空比和幅值实现温度控制，使之按设定的渗氮温度典线变化；渗氮剂量由计算机监测和计算。设备包括：主真空室、供电、供气和抽气系统，还包括与主真空室相连的微波源系统[29]和与计算机相连的自动监控系统；主真空室[21]外侧由小块永久磁铁[20]构成会切磁场，两侧设有带石英窗[17]的电子回旋共振反应室[18]，它的外侧设有电磁线圈[19]，微波束通过石英窗进入反应室，与磁场共同作用使氮气产生高密度等离子体。优点：简化设备，降低能耗40%，过程完全自动化，工艺稳定安全，不打火不起弧，重复性好。
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公开(公告)号：CN1262341A
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：CN99101568.1
申请日：1999-01-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C8/36
Abstract: 材料表面改性领域中,用计算机控制的等离子体源离子渗氮工艺及设备,包括升温、保温、降温及离子注渗工艺过程和供电系统、供气系统、抽真空系统与主真空室所构成的设备,特征是采用自加热式加热工件,通过计算机自动控制正负脉冲对的重复频率、各自的占空比与幅值来实现对工件温度的控制,使之按设定的渗氮温度曲线变化,优点:简化设备,降低能耗40%,过程完全自动化,工艺稳定,不打火,不起弧,不引起工件退火,安全可靠,重复性好。
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公开(公告)号：CN101476110A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910010112.4
申请日：2009-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明属等离子体薄膜沉积技术领域，涉及会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置。其特征在于，装置主体为一非平衡磁控；在非平衡磁控溅射靶与样品台之间加入ICP增强电离放电，使磁控溅射产物电离度得到有效提高；在非平衡磁控溅射靶下方分别加入三圈环状永久磁铁，与非平衡磁控溅射磁场闭合，沿放电室壁产生一闭合磁场分布，有效约束放电等离子体，进一步提高磁控溅射产物电离度，改善放电等离子体空间分布的均匀性；本发明的效果在于，在大大提高了非平衡磁控溅射放电等离子体密度与空间分布均匀性的基础上，利用该装置可以制备出高质量薄膜。
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公开(公告)号：CN1851045A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610200503.9
申请日：2006-05-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/52
Abstract: 本发明属于低温等离子体物理与化学领域中的材料表面改性技术，公开了一种利用直流辉光等离子体在细长金属管内表面沉积类金刚石薄膜的方法和装置。其特征是：采用同轴电极Pa的气压下，利用几千伏的直流恒定高Pa－103电压在细长金属管内产生稳定的圆筒状直流辉光等离子体，管内产生的圆筒状直流辉光等离子体的长度通过电压源电压进行控制，从而在整个细长金属管内表面沉积类金刚石薄膜。本发明效果和益处是可以在直径5mm以上，长度5mm－2000mm的金属管表面均匀地沉积类金刚石薄膜，由于采用几千伏稳恒直流电压源且对真空度要求不高，设备成本低，使用和维护方便。
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公开(公告)号：CN2454045Y
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN00253384.7
申请日：2000-12-08
Applicant: 大连理工大学
IPC: B05B17/06
Abstract: 一种超音速冷喷涂装置,其属于材料表面改性技术及装置领域。主要由本体、缩放喷管、混合器、抽吸泵管和进料箱组成的超音速冷喷涂装置,借助高压常温空气A、B为载体,引射、混合和加速粉料至音速以上来完成材料表面改性,该装置结构简单,操作方便,设备投资少,使用安全可靠,节能且无公害,涂层粉未可以回收再利用,特别适合于非耐热或有限耐热的基体工件,在生产中便于推广应用和深受广大用户的欢迎。
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