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公开(公告)号：CN1157103C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02109519.1
申请日：2002-04-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种新型的复合探针，用于高精度的、实时的与具有空间分辨力的等离子体参数测量，属于等离子体诊断技术领域。其特征在于将朗谬尔(Langmuir)单探针与差分发射探针集成安装在同一探针管内形成一种新型的复合探针，结合朗谬尔(Langmuir)单探针扫描电路、差分发射探针空间电位自动跟踪电路、矩形波脉冲发生电路、计算机接口电路与自动采集与分析数据的计算机软件，实现对等离子体参数的高精度实时测量。其特点是测量精度高、测量速度快、可获取等离子体参数时间与空间分布的信息，还可实时观察朗谬尔(Langmuir)单探针的伏安(V-I)特性曲线，广泛适用于等离子体的科学研究及等离子体的工业应用。
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公开(公告)号：CN1459516A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03111072.X
申请日：2003-02-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 高真空磁过滤弧源属于等离子体和材料表面技术领域，包括弧源屏蔽1、阴极靶2、引弧磁体3、触发机构4、水冷阳极7、主弧电源11、辅助阳极电源5、辅助阳极10、磁场线圈6、离化阳极8和离化电源9，真空度为10－1Pa～10－3Pa量级，启动触发机构4产生金属弧斑，启动辅助阳极10及电源5产生预备弧等离子体，启动主弧电源11产生稳定的等离子体，在磁场线圈6产生的磁过滤磁场的引导下经过离化电源9施加的电场的作用，二次离化和过滤金属液滴。阴极靶2由阴极、阳极与触发极组成，阳极外绕有磁场线圈6。本发明的有益效果是液滴滤除90％，真空度达到10－3Pa量级，适合于镀膜、离子注入等设备，广泛用于电子、工具、建筑玻璃和装饰的高级镀膜领域。
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公开(公告)号：CN114837908B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210479341.6
申请日：2022-05-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: F03H1/00 , H03K17/567
Abstract: 本发明属于微小卫星电推进技术领域，具体为一种微型电推进器半导体火花塞的点火电路。本发明的点火电路采用电容直接输出设计，无输出变压器，能有效提高点火能量效率。实施例的实验结果显示，相同工况下，本发明的点火电路比变压器点火电路的点火能量效率增加数倍。输出网络的简化使得点火电路体积减小，重量减轻。采用双闭环控制系统和PID控制器，提高了电源的稳态电压精度和电压响应速率，使输出电压更加精密，提升了负载调整能力；采用输出电压上升速率控制设计，可优化火花塞点火电路能量效率。
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公开(公告)号：CN104853513B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510253935.5
申请日：2015-05-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 一种实现大面积均匀介质阻挡放电的装置和方法，属于新材料合成、表面工程和高电压放电领域。其特征涉及实现大面积均匀介质阻挡放电的装置和相应方法，涉及电极的放电间隙气流流速、专用于产生介质阻挡放电的放电间距，和产生介质阻挡放电的谐振电源谐振频率或脉冲电源的脉冲频率的参数。实现大面积均匀介质阻挡放电的过程中气流的流速、放电间隙的距离以及谐振电源的频率之间的关系符合优化关系，相应的放电装置上安装与上述技术条件相匹配的部件。本发明的效果经济性好，通用性强，操作简单，容易实现大面积均匀介质阻挡放电。克服了现有介质阻挡放电实现大规模均匀性的效率低，设备昂贵，操作复杂等缺点。
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公开(公告)号：CN101835334B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010300432.6
申请日：2010-01-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种交叉场放电共振耦合的控制方法，属于电工工程技术领域。采用在交叉场放电离子源中由电场和磁场互相正交形成封闭或开放的交叉场空间的电场、磁场结构，磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构；磁控靶和与之平行的偏压基片之间或者开放端之间形成了另一种轴向势阱结构，静电波动在这两种势阱结构中分别形成驻波共振和相互耦合共振，与电源特性相匹配形成耦合共振放电；通过调整放电空间中的电极结构、形式和参数匹配能够形成单一的、两个或两个以上势阱结构，并分别发生静电驻波和发生耦合共振，本发明的有益效果是系统结构简单、放电效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107218896B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201710616084.5
申请日：2017-07-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种测量真空离子镀和等离子体喷涂镀膜膜厚与均匀性的方法。该方法基于激光诱导击穿光谱技术结合激光诱导荧光技术测量真空离子镀膜技术及等离子体喷涂镀膜技术的沉积膜厚膜厚与均匀性。该发明是一种微损接近无损的检测方法，能够实现对镀膜样品膜厚10nm量级测量，镀膜表面均匀性μm量级分辨测量。尤其是该方法还是一种可以实时、原位、在线、无接触与主动式的测量方法，且不会对镀膜过程有干扰，易于操作，实时分析。本发明主要用于真空离子镀，比如真空离子镀物理、化学气相沉积、等离子体喷涂等领域，不排除应用于其它的、具有相近技术特征的薄膜或者涂层沉积技术领域。
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公开(公告)号：CN107218896A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710616084.5
申请日：2017-07-26
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: G01B11/0683 , G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种测量真空离子镀和等离子体喷涂镀膜膜厚与均匀性的方法。该方法基于激光诱导击穿光谱技术结合激光诱导荧光技术测量真空离子镀膜技术及等离子体喷涂镀膜技术的沉积膜厚膜厚与均匀性。该发明是一种微损接近无损的检测方法，能够实现对镀膜样品膜厚10nm量级测量，镀膜表面均匀性μm量级分辨测量。尤其是该方法还是一种可以实时、原位、在线、无接触与主动式的测量方法，且不会对镀膜过程有干扰，易于操作，实时分析。本发明主要用于真空离子镀，比如真空离子镀物理、化学气相沉积、等离子体喷涂等领域，不排除应用于其它的、具有相近技术特征的薄膜或者涂层沉积技术领域。
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公开(公告)号：CN101205602A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710159083.9
申请日：2007-12-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开发表了一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法。其特征是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布，在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在应在50mT－300mT的范围之内，电压的范围是在220－3000V之间，平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量，通过使用频率范围为5Hz－100KHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0－3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统具有结构简单、放电效率高的优点，应用于溅射镀膜时，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。
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公开(公告)号：CN106756861A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611115661.4
申请日：2016-12-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/50
CPC classification number: C23C14/223 , C23C14/50
Abstract: 本发明公开一种摇摆回旋分散器装置和方法，该装置至少包括有样品容器、激振器和柔性平台，激振器摇摆偏心锤，激振器通过弹性支架连接样品容器，控制激振器的摇摆频率在1Hz～10kHz之间和功率在5W以上，使得激振器能够把偏心锤的摆动能量施加到样品容器上，从而使样品容器内的粉体翻滚和回旋流动。通过调整偏心锤的频率和幅值，控制柔性平台连接样品容器中的粉体流动状态，能够避免粉体的剧烈振动，特别适合于需要颗粒粉体均匀分布翻滚的领域，比如在滚珠和颗粒粉体上真空离子镀均匀涂层，或者进行颗粒粉体表面喷涂处理，和在筛选和分离粒径差异的粉体等应用和领域。
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