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公开(公告)号：CN101205602A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710159083.9
申请日：2007-12-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开发表了一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法。其特征是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布，在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在应在50mT－300mT的范围之内，电压的范围是在220－3000V之间，平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量，通过使用频率范围为5Hz－100KHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0－3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统具有结构简单、放电效率高的优点，应用于溅射镀膜时，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。
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公开(公告)号：CN1948548A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610134220.9
申请日：2006-11-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种磁镜场约束的对靶非平衡磁控溅射系统，主要用于表面工程技术领域。其特征在于：有两个通电的同轴线圈和两个永磁式磁控靶相对放置，通电线圈能够形成和两个永磁式磁控靶同轴的完全封闭的磁镜场；通过调整两对相对放置的同轴线圈的电流来控制溅射靶的外围的封闭磁镜场，精细调整放电等离子体状态、沉积参数；同时电磁线圈增强阴极放电，增加阴极区域等离子体引出，提高沉积区域等离子体密度。本发明的优点：采用同轴的磁镜场约束等离子体，附加同轴线圈后，增大了沉积参数的调整范围，这种非平衡磁控溅射技术和常规磁控溅射技术相比具有等离子状态可调，等离子体离化率高，离子原子到达比高等优点。
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公开(公告)号：CN100532634C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710159083.9
申请日：2007-12-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法。其特征是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布，在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在应在50mT-300mT的范围之内，电压的范围是在220-3000V之间，平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量，通过使用频率范围为5Hz-100kHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0-3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统具有结构简单、放电效率高的优点，应用于溅射镀膜时，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。
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公开(公告)号：CN1948547A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610134219.6
申请日：2006-11-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开发表了一种用于超高功率非平衡磁控溅射的电源方法，主要用于表面工程技术领域。其特征在于：采用球系开关组和脉冲形成线组控制和形成超高功率脉冲放电，实现超高功率的脉冲非平衡磁控溅射的溅射沉积；使用唯一的一个主电源系统供给多路脉冲形成线组和对应的球系开关组，为不同的非平衡磁控溅射靶供给高功率脉冲，实现扩展输出；同时实现微机智能控制，频率参数连续可调，能够防止过流、过压、过热的损害。本发明的优点是电源结构简单、电源稳定、控制方便、工作效率高、耐冲击、参数调节范围宽广、放电系统能够任意扩展，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。
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