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公开(公告)号：CN117990239A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311797099.8
申请日：2023-12-26
申请人： 大连理工大学 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC分类号： G01L1/14 , A61B5/02 , A61B5/00 , C08G75/045
摘要： 一种具备监测各种生理特征功能的离子凝胶压力传感器件及其制备方法，属于压力传感器领域，所述制备方法包括如下步骤：步骤1.将二乙烯苯与四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯(PETMP)在室温下加入到甲醇和四氢呋喃中混合成溶液；步骤2.在溶液中加入一定量的聚离子液体与安息香二甲醚；步骤3.采用紫外光照的方法对凝胶溶液进行处理；步骤4.将模具里凝固好的凝胶脱模；步骤5.将不规整的凝胶边框裁剪整齐；步骤6.将离子凝胶进行封装。该压力传感器件在不同压力下表现出良好的灵敏度与相应时间，并且该元件可以很好地用于脉搏，吞咽等动作的检测。
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公开(公告)号：CN115903333A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211318835.2
申请日：2022-10-26
申请人： 大连理工大学
发明人： 李大卫
摘要： 本发明公开了一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体/图案化铁电异质结构及制备方法，其异质结构，包括位于下层的图案化铁电超薄膜和位于上层的二维半导体层；激发光垂直入射到异质结构，作用在二维半导体层上产生二次谐波光信号，利用图案化铁电超薄膜的极化特性并通过层间耦合效应，在不同铁电畴区诱导二维半导体层出射的非线性光振幅、偏振态、几何相位发生改变。当线偏振光入射时，在电畴区产生具有三重对称偏振态、几何相位0°～60°可调的二次谐波；在畴壁区产生具有双重对称偏振态、几何相位0°～360°可调的二次谐波。其体积小、制备工艺简单，在光信息处理、集成光路、微纳非线性光调制器等领域具有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN117982128A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311797102.6
申请日：2023-12-26
申请人： 沈阳仪表科学研究院有限公司 , 大连理工大学
IPC分类号： A61B5/08 , A61B5/00 , G01N27/12 , C08G75/045
摘要： 一种具备自供电湿度传感功能的离子凝胶传感器件及其制备方法，属于湿度传感器领域，包括如下步骤：步骤1.将二乙烯苯与四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯(PETMP)在室温下加入到甲醇和四氢呋喃中混合成溶液；步骤2.在溶液中加入一定量的聚离子液体与安息香二甲醚；步骤3.将适量溶液滴在叉指电极上；步骤4.采用紫外光照的方法对叉指电极上的凝胶溶液进行处理；步骤5.完成后进行封装保存。该压力传感器件在不同湿度下表现出良好的灵敏度，同时具备自供电能力，并且该元件可以很好地用于呼吸等动作的检测。
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公开(公告)号：CN116828973A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211557296.8
申请日：2022-12-06
申请人： 大连理工大学
摘要： 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列中，由上至下依次设置上电极、缓冲层和功能层，上电极位于AlGaN层上方，缓冲层和功能层设置于AlGaN层中。有益效果：本发明将忆阻器件与HEMT结构融合，利用二维电子气进行导电；可以对器件的侧壁进行保护，对刻蚀工艺的要求较低，四种实现方法可对中间功能层以及缓冲层进行调整，器件制备灵活性较高，缓冲层提供了氧空位以及和电极的欧姆接触，大大增加了器件的可调控性；本结构为未来忆阻器神经网络与功率器件、开关器件的集成提供了一种前瞻性方案。
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公开(公告)号：CN118961674A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411020100.0
申请日：2024-07-29
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法，涉及纳米科学技术领域；包括：加工晶圆级衬底；采用溶胶‑凝胶法制备二氧化钛溶胶溶液；利用提拉技术或旋涂法，通过控制提拉速率或旋涂转速，在晶圆级衬底上获得厚度可控、均一的二氧化钛薄膜，继而进行热退火处理；利用紫外光管阵列垂直照射浸渍于硝酸银溶液中的晶圆级二氧化钛薄膜衬底，通过控制光照时长，在二氧化钛薄膜衬底表面可控沉积银纳米颗粒，从而实现超大尺寸(米级)银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构基SERS芯片制备。本方法解决了现有技术中难以实现超大尺寸、成本低廉、灵敏度高的SERS芯片可控制备的技术挑战。
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公开(公告)号：CN118382345A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410490606.1
申请日：2024-04-23
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H10N30/098 , H10N30/857 , H10N30/00 , H01L21/02 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种基于1T’相二维半导体界面的聚合物铁电超薄膜外延生长方法，包括：制备1T’相二维半导体薄膜，或制备1T’相二维半导体块状单晶；将铁电聚合物粉末均匀溶解于有机溶剂中，获得的溶液静置后，利用旋涂法或LB技术，均匀覆盖于1T’相二维半导体薄膜或1T’相二维半导体块状单晶表面，通过控制旋涂机转速或LB拉膜次数得到厚度可控的非晶聚合物铁电超薄膜；将覆盖有非晶聚合物铁电超薄膜的1T’相二维半导体进行热退火处理，从而实现单晶聚合物铁电超薄膜在1T’相二维半导体表面外延生长，同时得到1T’相二维半导体与单晶聚合物铁电薄膜异质结构筑。本方法解决了现有技术中无法实现大面积、高质量聚合物铁电超薄膜可控制备的技术问题。
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公开(公告)号：CN117987776A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311794988.9
申请日：2023-12-25
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C23C14/08 , G01N27/12 , C23C14/35 , C23C14/58 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/10 , C23C14/18 , C23C14/04
摘要： 一种用湿法腐蚀增强氧化镓多晶薄膜气敏性能的方法，属于半导体气敏传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.使用磁控溅射机在二氧化硅片上溅射氧化镓薄膜；步骤2.采用热退火的方法使氧化镓薄膜转变为多晶薄膜；步骤3.采用湿法腐蚀的方法在氧化镓多晶薄膜上形成纳米凹坑并嫁接高能悬挂键；步骤4.采用光刻显影的方法在氧化镓薄膜上产生叉指电极区域；步骤5.使用磁控溅射机在氧化镓薄膜上溅射Ti/Pt电极；步骤6.使用丙酮溶液超声浸泡以去除光刻胶。以该材料作为敏感材料制备的氧化镓气敏元件，该元件在300ppm氨气浓度下灵敏度可达25％，并且该元件对氨气有着高敏选择性。
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公开(公告)号：CN115881774A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211371590.X
申请日：2022-11-03
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 一种具有阵列侧栅结构的HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。技术方案：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层，源极和漏极设置在势垒层上方，栅极设置在势垒层上方、并延伸至沟道层；位于栅极区的沟道层、势垒层、栅金属形成阵列侧栅结构，阵列侧栅包括若干由沟道层和势垒层构成的纵向截面为等腰梯形的结构，侧栅结构在沟道层一侧的外角为钝角弧形。有益效果：本发明利用对沟道分区域进行浅刻蚀和深刻蚀与栅金属/半导体功函数差相结合的方式来调节沟道电子浓度，有效提升器件阈值电压和输出电流。同时可以通过优化侧栅倾角α以减小峰值电场，从而有效降低栅极漏电。
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