公开(公告)号：CN118382345A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410490606.1

申请日：2024-04-23

申请人： 大连理工大学

发明人： 李大卫 ,  王虎 ,  孔繁艺 ,  佟云颢 ,  侯心怡 ,  代建勋 ,  黄火林 ,  姬琛华

IPC分类号： H10N30/098 ,  H10N30/857 ,  H10N30/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种基于1T’相二维半导体界面的聚合物铁电超薄膜外延生长方法，包括：制备1T’相二维半导体薄膜，或制备1T’相二维半导体块状单晶；将铁电聚合物粉末均匀溶解于有机溶剂中，获得的溶液静置后，利用旋涂法或LB技术，均匀覆盖于1T’相二维半导体薄膜或1T’相二维半导体块状单晶表面，通过控制旋涂机转速或LB拉膜次数得到厚度可控的非晶聚合物铁电超薄膜；将覆盖有非晶聚合物铁电超薄膜的1T’相二维半导体进行热退火处理，从而实现单晶聚合物铁电超薄膜在1T’相二维半导体表面外延生长，同时得到1T’相二维半导体与单晶聚合物铁电薄膜异质结构筑。本方法解决了现有技术中无法实现大面积、高质量聚合物铁电超薄膜可控制备的技术问题。