公开(公告)号：CN109308880B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201810667262.1

申请日：2018-06-25

Applicant: 夏普生命科学(欧洲)有限公司 ,  夏普株式会社

Inventor： 本杰明·詹姆斯·哈德文 ,  西内亚德·马丽·马修 ,  莱斯利·安·帕里-琼斯 ,  阿达姆·弗朗西斯·鲁滨逊 ,  小坂知裕 ,  原猛 ,  寺西知子

IPC: G09G3/34 ,  B01L3/00

Abstract: EWOD器件包括限定间隙且均包括面对间隙的绝缘表面的相对的基板。阵列元件包括施加有致动电压的电极元件。预充电结构限定与间隙流体连通的通道，其中，通道接收用于生成液滴的流体储液团的输入，并且预充电结构包括电暴露于通道的电元件。电元件对通道内的流体储液团预充电，并且间隙的含有与通道间隔开的液滴的部分与电元件电隔离，使得液滴在位于间隙的所述部分内时处于浮置电位。电元件可以是暴露于通道的电极部分或插入到通道中的外部连接的预充电元件。

公开(公告)号：CN109308880A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810667262.1

申请日：2018-06-25

Applicant: 夏普生命科学(欧洲)有限公司 ,  夏普株式会社

Inventor： 本杰明·詹姆斯·哈德文 ,  西内亚德·马丽·马修 ,  莱斯利·安·帕里-琼斯 ,  阿达姆·弗朗西斯·鲁滨逊 ,  小坂知裕 ,  原猛 ,  寺西知子

IPC: G09G3/34 ,  B01L3/00

Abstract: EWOD器件包括限定间隙且均包括面对间隙的绝缘表面的相对的基板。阵列元件包括施加有致动电压的电极元件。预充电结构限定与间隙流体连通的通道，其中，通道接收用于生成液滴的流体储液团的输入，并且预充电结构包括电暴露于通道的电元件。电元件对通道内的流体储液团预充电，并且间隙的含有与通道间隔开的液滴的部分与电元件电隔离，使得液滴在位于间隙的所述部分内时处于浮置电位。电元件可以是暴露于通道的电极部分或插入到通道中的外部连接的预充电元件。

公开(公告)号：CN107918206A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710893933.1

申请日：2017-09-27

Applicant: 夏普生命科学(欧洲)有限公司

Inventor： 小坂知裕 ,  纪藤贤一 ,  原猛 ,  门野真也 ,  安尾文利 ,  大王学 ,  寺西知子 ,  李昊

IPC: G02B26/00

CPC classification number: B01L3/502746 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/502784 ,  B01L3/502792 ,  B01L2200/06 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/165 ,  B01L2300/168 ,  B01L2400/0427 ,  G01N27/44786 ,  G01N27/44791 ,  G02B26/005

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种段电极上的疏水层的表面的平坦性比以往高且该疏水层表面的微小流体容易滑动的微小流体装置。微小流体装置(1)的特征在于，具备：阵列基板(10)，具有多个电极(14)；以及对置基板(40)，具有至少一个电极(42)，在与阵列基板(10)之间形成有使具有导电性的液滴(51)横跨多个电极(14)移动的内部空间(50)，多个电极(14)设置在第一平坦化树脂层(13)上，并且是具有遮光性的金属电极。

公开(公告)号：CN107918206B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201710893933.1

申请日：2017-09-27

Applicant: 夏普生命科学(欧洲)有限公司

Inventor： 小坂知裕 ,  纪藤贤一 ,  原猛 ,  门野真也 ,  安尾文利 ,  大王学 ,  寺西知子 ,  李昊

IPC: G02B26/00

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种段电极上的疏水层的表面的平坦性比以往高且该疏水层表面的微小流体容易滑动的微小流体装置。微小流体装置(1)的特征在于，具备：阵列基板(10)，具有多个电极(14)；以及对置基板(40)，具有至少一个电极(42)，在与阵列基板(10)之间形成有使具有导电性的液滴(51)横跨多个电极(14)移动的内部空间(50)，多个电极(14)设置在第一平坦化树脂层(13)上，并且是具有遮光性的金属电极。

公开(公告)号：CN113228415A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980081557.3

申请日：2019-12-02

Applicant: 夏普株式会社 ,  集美塔公司

Inventor： 纪藤贤一 ,  原猛 ,  中野晋 ,  田中义规 ,  R·A·史蒂文森 ,  S·林恩 ,  C·瓦雷尔 ,  C·肖特 ,  F·陈

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1339 ,  H01L29/786

Abstract: 一种扫描天线，具有包含多个天线单位(U)的发送接收区域(R1)和发送接收区域外的非发送接收区域(R2)。扫描天线具有：TFT基板(101)；缝隙基板(201A)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；密封部(73)，其设置于非发送接收区域，包围液晶层；以及反射导电板(65)，其配置为隔着电介质层(54)与第2电介质基板(51)的第2主面相对。缝隙电极(55)具有在非发送接收区域内的由密封部包围的区域内形成的开口部(56h)或凹部(56d)。

公开(公告)号：CN103201843B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180053443.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川兴史 ,  近间义雅 ,  原猛 ,  胜井宏充

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66969 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：TFT的栅极电极(102)；形成在栅极电极(102)上的栅极绝缘层(103)；配置在栅极绝缘层(103)上的氧化物半导体层(107)；通过旋涂玻璃法形成在氧化物半导体层(107)上的保护层(108)；和配置在保护层(108)上的源极电极(105)和漏极电极(106)，其中，源极电极(105)经形成于保护层(108)的第一接触孔(131)与氧化物半导体层(104)电连接，漏极电极(106)经形成于保护层(108)的第二接触孔(132)与氧化物半导体层(104)电连接。

公开(公告)号：CN102473362A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029906.6

申请日：2010-03-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  原猛

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

Abstract: 包括如下工序：在基板(10)上形成栅极电极(11a)和第一配线的工序；形成在与第一配线重叠的位置具有接触孔的栅极绝缘膜(12a)的工序；形成以与栅极电极(11a)重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极(13a)和漏极电极(13b)、以及通过栅极绝缘膜(12a)的接触孔与第一配线连接的第二配线的工序；在将氧化物半导体膜(14)和第二绝缘膜(15)依次形成之后，对该第二绝缘膜(15)进行图案化而形成层间绝缘膜(15a)的工序；和将从层间绝缘膜(15a)露出的氧化物半导体膜(14)低电阻化而形成像素电极(14b)的工序。

公开(公告)号：CN102308330A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200980156141.X

申请日：2009-12-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 纪藤贤一 ,  中村涉 ,  田中哲宪 ,  原猛 ,  中野悠哉

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  H05K1/09 ,  H05K1/11

CPC classification number: H05K1/115 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/13458 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2201/09509

Abstract: 由透明导电薄膜(10)在多个部位连接第1配线(2)和第2配线(6)来构成连接端子。连接端子部分成为利用第1配线(2)和第2配线(6)的并联连接，且第1配线(2)和第2配线(6)在多个部位连接，因此，大幅度降低断线的风险。由此，防止显示装置等的连接端子部分的腐蚀造成的断线。

公开(公告)号：CN108780946A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016590.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安尾文利 ,  原猛 ,  门野真也 ,  犬饲顺一 ,  小坂知裕

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

CPC classification number: G02F1/13 ,  H01L29/786 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 扫描天线具备：具有多个贴片电极(15)的TFT基板；具有狭缝电极(55)的狭缝基板；以及设置在TFT基板与狭缝基板之间的液晶层，狭缝电极(55)具有与多个贴片电极15对应配置的多个狭缝(57)、和未形成多个狭缝(57)的实心部(56)，从基板的法线方向观察时，在多个天线单位的每一个中，贴片电极(15)以沿第一方向横切狭缝(57)的方式配置，且在狭缝(57)的两侧与实心部(56)重叠，从基板的法线方向观察时，在多个天线单位中的至少一部分的天线单位中，实心部(56)的周缘和贴片电极(15)的周缘中的至少一方具有凹部(81、82)或凸部。

公开(公告)号：CN102473727B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。