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公开(公告)号：CN110476200B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201880022560.3
申请日：2018-03-22
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
摘要： 在下层部和上层部分别包括半导体膜的TFT基板中，实现了下层部的导电体和上层部的导电体之间的稳定连接。在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜(6)、与第一半导体膜相比靠上层的第一导电体(M1)、与第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜(18)、与层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜(26)、与第二半导体膜相比靠上层的第二导电体(J2)、与第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜(32)、与有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体(M3)、穿过有机绝缘膜的通孔(H32)以及层间绝缘膜的通孔(H18)，且底面到达第一导电体的接触孔(CH)，有机绝缘膜的通孔的开口表面大于层间绝缘膜的通孔的开口表面，第二导电体(J2)以及第三导电体(M3)以与接触孔的开口表面(K)重叠的方式形成，第三导电体(M3)与第一导电体(M1)以及第二导电体(J2)接触。
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公开(公告)号：CN110036318B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201780075336.6
申请日：2017-12-07
摘要： 本发明提供一种材料，其为黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物，其特征在于，含有：(I)包含体积平均粒径为1～300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。
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公开(公告)号：CN110036318A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075336.6
申请日：2017-12-07
摘要： 本发明提供一种材料，其为黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物，其特征在于，含有：(I)包含体积平均粒径为1～300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。
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公开(公告)号：CN108780621A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780018517.5
申请日：2017-03-24
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L29/786
摘要： 本发明提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置，在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生，并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下，在用于保护TFT的钝化膜形成之后，在200～350℃下进行退火，并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是，不仅能够抑制ESD的发生，而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路，所以能够降低显示装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN102473362A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029906.6
申请日：2010-03-16
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G09F9/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/42384
摘要： 包括如下工序：在基板(10)上形成栅极电极(11a)和第一配线的工序；形成在与第一配线重叠的位置具有接触孔的栅极绝缘膜(12a)的工序；形成以与栅极电极(11a)重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极(13a)和漏极电极(13b)、以及通过栅极绝缘膜(12a)的接触孔与第一配线连接的第二配线的工序；在将氧化物半导体膜(14)和第二绝缘膜(15)依次形成之后，对该第二绝缘膜(15)进行图案化而形成层间绝缘膜(15a)的工序；和将从层间绝缘膜(15a)露出的氧化物半导体膜(14)低电阻化而形成像素电极(14b)的工序。
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公开(公告)号：CN101277886B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200680036493.8
申请日：2006-12-15
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： B65H18/00 , B65H18/08 , B65H2301/4127 , B65H2301/414324 , G02F1/1303 , G02F1/133305 , G02F1/133351
摘要： 本发明公开了薄膜辊制造方法及制造装置和薄膜辊。该薄膜辊制造方法为制造卷绕有薄膜基板(1)的薄膜辊(3b)的方法。该薄膜辊制造方法包括：在薄膜基板(1)的两端部及中间部，沿着该薄膜基板(1)的长边方向分别配置带状隔离物(2b、2c)的隔离物配置工序；以及隔着该被配置的各个隔离物(2b、2c)卷绕薄膜基板(1)的卷绕工序。
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公开(公告)号：CN101578916A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001534.9
申请日：2008-01-11
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H05B33/22 , H01L27/3246 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5259 , H01L2251/5338 , H05B33/04
摘要： 本发明提供电致发光元件。本发明的电致发光元件包括：电致发光基板，该电致发光基板包括薄膜晶体管基板和设置在薄膜晶体管基板上并由像素分离部按每个单位像素分割的发光层；和密封基板，该密封基板用于密封电致发光基板的发光层。电致发光基板和密封基板中的至少一个具有可挠性。在电致发光和密封基板之间设置有间隔物。
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公开(公告)号：CN101467194A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022039.1
申请日：2007-02-06
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1339 , G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10
CPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1333 , G02F2001/133302 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5253
摘要： 显示装置及其制造方法，为提高基板和密封部件的粘结力的同时抑制基板自身的膜剥离。显示装置包括第一基板、和第一基板相对设置的第二基板、和在第一基板和第二基板之间封入显示媒体层的状态下粘结第一基板与第二基板的密封部件。并且，第一基板和第二基板的至少一个具有补强层、和比补强层强度小由一或两层以上的叠层构成的叠层构造，密封部件的至少一部分直接与补强层粘结。
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公开(公告)号：CN1101555C
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN96111648.X
申请日：1996-08-12
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G02F1/1368 , G09F9/35
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F2001/13606 , G02F2201/40
摘要： 一种透射型液晶显示器件，包括门极引线；源极引线和排列在近每一门极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的门极与门极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的门极与门极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、门极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。
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公开(公告)号：CN108780221B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780019232.3
申请日：2017-03-27
申请人： 夏普株式会社
摘要： 本发明不扩大配线的线宽就使配线电阻下降，从而抑制配线延迟。包括遮光膜(102)、光透射膜(106)和第一配线层(105A)，该第一配线层为用于对像素的光的透射量进行电控制的配线的一部分，第一配线层(105A)设置在遮光膜(102)之上，光透射膜(106)以覆盖上述第一配线层的侧面的方式设置在第一配线层(105A)的上层。
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