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公开(公告)号：CN108780221B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780019232.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明不扩大配线的线宽就使配线电阻下降，从而抑制配线延迟。包括遮光膜(102)、光透射膜(106)和第一配线层(105A)，该第一配线层为用于对像素的光的透射量进行电控制的配线的一部分，第一配线层(105A)设置在遮光膜(102)之上，光透射膜(106)以覆盖上述第一配线层的侧面的方式设置在第一配线层(105A)的上层。
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公开(公告)号：CN107851407A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040399.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/133512 , G02F1/134309 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 减少有源矩阵基板的制造工序数目。一种有源矩阵基板，其具有形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板100，其特征在于，具备：遮光膜201，形成于绝缘基板100上的遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜202，形成于遮光膜201上；透光膜204，形成于绝缘基板100的透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线111，设置于无机膜202上；栅极绝缘膜101，其设置于栅极线111上；薄膜晶体管300，以矩阵状设置于栅极绝缘膜101上；以及数据线，在遮光膜201上以与栅极线111交叉的方式设置，并与薄膜晶体管300电连接。
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公开(公告)号：CN115176299B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202080097504.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/80 , H10K59/131 , H05B33/02 , H05B33/04 , G09F9/30
Abstract: 本发明的显示装置包括TFT层(30a)，该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a)，在边框区域(F)中，分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)，第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置，保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。
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公开(公告)号：CN110036318B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201780075336.6
申请日：2017-12-07
Abstract: 本发明提供一种材料，其为黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物，其特征在于，含有：(I)包含体积平均粒径为1～300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。
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公开(公告)号：CN110036318A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075336.6
申请日：2017-12-07
Abstract: 本发明提供一种材料，其为黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物，其特征在于，含有：(I)包含体积平均粒径为1～300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780621A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780018517.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置，在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生，并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下，在用于保护TFT的钝化膜形成之后，在200～350℃下进行退火，并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是，不仅能够抑制ESD的发生，而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路，所以能够降低显示装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN110383493B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880016702.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。
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公开(公告)号：CN110121765B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780080973.2
申请日：2017-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
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公开(公告)号：CN110383493A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016702.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。
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公开(公告)号：CN110121765A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780080973.2
申请日：2017-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
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