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公开(公告)号：CN103035289B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210375954.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: G11C13/0028 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。
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公开(公告)号：CN103035289A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210375954.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: G11C13/0028 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。
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公开(公告)号：CN105518870A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048387.6
申请日：2014-09-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L27/146 , G01J3/51 , G01J3/02
CPC classification number: H01L27/14621 , G01J3/0259 , G01J3/513 , G02B5/008 , G02B5/20 , G02B5/204 , H01L31/02327
Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。
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公开(公告)号：CN104586355B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410601756.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
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公开(公告)号：CN105518875B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201480046696.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10 , G02B5/20 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02164
Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518870B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480048387.6
申请日：2014-09-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L27/146 , G01J3/51 , G01J3/02
CPC classification number: H01L27/14621 , G01J3/0259 , G01J3/513 , G02B5/008 , G02B5/20 , G02B5/204 , H01L31/02327
Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。
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公开(公告)号：CN106537906B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201580038421.6
申请日：2015-07-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。
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公开(公告)号：CN105518875A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480046696.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10 , G02B5/20 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02164
Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。
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公开(公告)号：CN104568865A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410539344.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。
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公开(公告)号：CN102339636A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110198320.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。
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