公开(公告)号：CN103035289B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210375954.1

申请日：2012-10-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 名仓满 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  世古明义

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0028 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。

公开(公告)号：CN103035289A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210375954.1

申请日：2012-10-08

Applicant: 夏普株式会社 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 名仓满 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  世古明义

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0028 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。