发光元件、发光装置、发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN114342560A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN201980100045.7

    申请日:2019-09-04

    Abstract: 发光元件(2)的发光层(8)包括配位于量子点(14、16)的卤素配体和有机配体。所述发光层包括空穴传输层(10)侧的第一区域(14A)和电子传输层(6)侧的第二区域(16A)。在所述第一区域中,所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度,在所述第二区域中,所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。

    发光元件、发光设备以及发光元件的制造装置

    公开(公告)号:CN111903191A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201880091687.0

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 提升发光元件的发光效率为目的,提供一种发光元件(2),其包括:第一电极(4)、第二电极(12)、量子点(16)层叠在第一电极与第二电极之间的量子点层(8)、在所述量子点层与所述第一电极之间的空穴输送层(6),所述发光元件特征在于:所述空穴输送层由包括互相不同的材料的多层构成,所述空穴输送层的多层从所述第一电极到所述量子点层,各层的电离势变大,在所述空穴输送层的多层中,与所述量子点层相接的层(6c)的电离势大于所述量子点层的电离势。

    显示装置
    5.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119153453A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202410724855.2

    申请日:2024-06-05

    Inventor: 上田吉裕

    Abstract: 减少显示装置中发光元件之间的杂散光的传播,改善显示装置的显示质量。显示装置包括具有第一发光区域(14)的第一发光元件(10)、具有第二发光区域(24)的第二发光元件(20)以及具有第三发光区域(34)的第三发光元件(30)。每个发光区域的任一位置位于彼此三次旋转对称的位置。相邻的两个发光区域的之间的相向的两个边沿交叉的方向延伸。

    发光元件
    7.
    发明公开
    发光元件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116711463A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202180090393.8

    申请日:2021-01-13

    Inventor: 上田吉裕

    Abstract: 发光元件(1)具备:阴极(6);阳极(2),其与阴极(6)相对配置;发光层(4),其在阴极(6)与阳极(2)之间;以及电子输送层(5),其在阴极(6)与发光层(4)之间,包含IIB(12)族元素、IVB(14)族元素和氮元素的化合物、或包含所述IVB(14)族元素、VIB(16)族元素和硼元素的化合物。

    发光元件以及发光元件的控制方法

    公开(公告)号:CN115336024A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202080098472.9

    申请日:2020-03-25

    Abstract: 一种发光元件以及发光元件的控制方法,发光元件包括:第一电极;第二电极,其与所述第一电极对置;发光层,其设置于所述第一电极与所述第二电极之间,并包含荧光体;层叠体,其具有能够从所述第二电极向所述发光层注入电荷的厚度,并包含金属层、第一绝缘层以及第二绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述金属层的所述第二电极侧,所述第二绝缘层设置于所述金属层的所述发光层侧;第一电源,其在所述第一电极与所述第二电极之间电压;第二电源,其在所述金属层与所述第二电极之间施加与通过所述第一电源在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压时的所述第二电极的极性成为相反的极性的电压。

    发光装置
    9.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114430934A

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN201980100677.3

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 发光装置具备:第一子像素,设置有第一发光元件;以及第二子像素,设置有第二发光元件,与所述第一子像素一起构成多个像素中的一个像素,所述第一发光元件具有第一阴极、第一阳极以及第一发光层,所述第一发光层包含第一量子点且设于所述第一阴极和所述第一阳极之间,所述第二发光元件具有第二阴极、第二阳极以及第二发光层,所述第二发光层包含第二量子点且设置于所述第二阴极和所述第二阳极之间,所述第二量子点发出比所述第一量子点的发光波长长的光,所述第一发光层的厚度比所述第二发光层的厚度厚。

    发光元件、发光设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113196880A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN201880100165.2

    申请日:2018-12-10

    Inventor: 上田吉裕

    Abstract: 发光元件(2)依次具备阳极(4)、作为p型半导体层的空穴输送层(6)、含有13族元素的n型半导体层(7)、含有量子点(16)的发光层(8)、电子输送层(10)和阴极(12)。

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